[發(fā)明專利]OLED顯示裝置及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911164985.0
• 申請(qǐng)日: 2019-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN110838511A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余明爵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

1.一種OLED顯示裝置，其特征在于，包括：

基板；

色阻層，位于所述基板上；

緩沖層，位于所述基板上并覆蓋所述色阻層；

晶體管，包含柵極和輸出極，所述柵極包含透明導(dǎo)電層以及柵極金屬層；

像素電極，連接所述輸出極；以及

存儲(chǔ)電容，具有第一透明電極以及第二透明電極；

其中，所述像素電極為所述第二透明電極，所述第一透明電極投影于所述基板的面積大于或等于所述色阻層投影于所述基板的面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述OLED顯示裝置還包括遮光層，所述遮光層位于所述基板上，所述緩沖層覆蓋所述遮光層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，存儲(chǔ)電容還包括：

屏蔽層，設(shè)置于所述緩沖層上；

絕緣層，位于所述第一透明電極以及所述屏蔽層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述晶體管還包括：

有源層，位于所述緩沖層上；

柵極絕緣層，位于所述有源層上；

其中所述有源層和所述屏蔽層為非晶氧化物半導(dǎo)體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層、所述第一透明電極以及所述第二透明電極為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或兩者組合。

6.一種OLED顯示裝置的形成方法，其特征在于，包括：

在基板上形成色阻層；

在所述基板上形成緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述色阻層；

在所述緩沖層上形成晶體管的柵極以及存儲(chǔ)電容的第一透明電極，在所述緩沖層上依次沉積透明導(dǎo)電材料以及金屬層，光刻所述透明導(dǎo)電材料以及所述金屬層以形成晶體管的柵極以及存儲(chǔ)電容的第一透明電極，所述晶體管的柵極包括透明導(dǎo)電層和柵極金屬層，其中所述第一透明電極投影于所述基板的面積大于或等于所述色阻層投影于所述基板的面積；以及

在所述晶體管上形成第二透明導(dǎo)電層作為所述存儲(chǔ)電容的第二透明電極和像素電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述在所述基板上形成緩沖層的步驟之前，還包括：在所述基板上形成遮光層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，以半色調(diào)掩膜光刻所述透明導(dǎo)電材料以及所述金屬層以形成所述晶體管的所述柵極以及所述存儲(chǔ)電容的所述第一透明電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，其另包括：

沉積非晶氧化物半導(dǎo)體于所述緩沖層上；

光刻所述非晶氧化物半導(dǎo)體以形成所述晶體管的有源層和所述存儲(chǔ)電容的屏蔽層；

依次沉積絕緣材料、所述透明導(dǎo)電材料以及所述金屬層于所述柵極絕緣層和所述存儲(chǔ)電容的所述絕緣層上；

以半色調(diào)掩膜對(duì)涂布于所述金屬層上的光阻進(jìn)行曝光；

蝕刻所述透明導(dǎo)電材料以及所述金屬層以形成所述晶體管的所述柵極以及所述存儲(chǔ)電容的所述第一透明電極；以及

蝕刻所述絕緣材料以形成所述晶體管的柵極絕緣層和所述存儲(chǔ)電容的絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，其另包括：

沉積層間絕緣層于所述柵極和所述第一透明電極之上；

光刻所述層間絕緣層以形成第一孔；

形成所述晶體管的輸出極，使得所述輸出極通過所述第一孔連接所述有源層；

形成平坦化層于所述層間絕緣層上；

光刻所述平坦化層以形成第二孔；

形成所述像素電極，使得所述像素電極通過所述第二孔連接所述輸出極。