[發明專利]懸浮壓接功率半導體模塊

在審

• 申請號: 201911157725.0
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN111261619A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 楊成標;董明;劉婧;劉鵬;肖彥;李新安;段彬彬;朱玉德
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種懸浮壓接功率半導體模塊，包括模塊底板（1）、絕緣導熱片（2）、金屬A電極（3）、功率半導體芯片（5）、門極組件（7）、金屬K電極（8）和模塊塑料外殼（9），其特征在于：還包括下鉬圓片（4）和上鉬圓片（6）；所述上鉬圓片（6）中心設有安裝孔；所述門極引線組件（7）卡入該安裝孔內定位，引出門極控制極；所述金屬A電極（3）、下鉬圓片（4）、功率半導體芯片（5）、上鉬圓片（6）、門極引線組件（7）和金屬K電極（8）依次為壓接接觸。

2.根據權利要求1所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的模塊塑料外殼（9）內形成密封腔體，該密封腔體內充有凝膠或者環氧樹脂。

3.根據權利要求1或2所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的功率半導體芯片（5）的邊緣兩面雙負角臺面設有環形直角圓柱形絕緣保護硅膠環，雙面表面臺面設有2-4層聚酰亞胺鈍化層。

4.根據權利要求3所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的硅膠環外層表面設有凹槽。

5.根據權利要求1或2所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的下鉬圓片（4）和上鉬圓片（6）的上下表面、金屬A電極（3）和金屬K電極（8）的內外表面為研磨面，面平面度和平行度小于10微米。

6.根據權利要求1或2所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的上鉬圓片（6）、下鉬圓片（4）的表面涂鍍有釕鈍化層。

7.根據權利要求1或2所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的功率半導體芯片（5）的陰陽極表面涂覆10-100微米厚的金屬導電層。

8.根據權利要求1或2所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的功率半導體芯片（5）與上鉬圓片（6）和下鉬圓片（4）之間為懸浮壓接接觸。

9.根據權利要求1或2所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的功率半導體芯片（5）的邊緣兩面雙負角臺面上的絕緣保護硅膠環分別與上鉬圓片（6）、下鉬圓片（4）定位配合。

10.根據權利要求3或4所述的懸浮壓接功率半導體模塊，其特征在于：所述的功率半導體芯片（5）的邊緣兩面雙負角的臺面造型角度在0.5°與35°之間。