[發明專利]電子器件和用于制造電子器件的方法

在審

• 申請號: 201911157066.0
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN111952333A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 李賢真;高永錫;李政勛;李賢敏
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本申請公開了電子器件和用于制造電子器件的方法。該電子器件可以包括半導體存儲器。所述半導體存儲器可以包括：行線；與行線交叉的列線；存儲單元，其位于行線與列線的交叉區域中，所述存儲單元包括上電極和下電極；以及界面層，其位于存儲單元的下電極與行線之間，所述界面層的寬度比行線的寬度窄。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年5月17日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2019-0057764的韓國專利申請的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本公開總體上涉及一種存儲電路或存儲器件、以及其在電子器件中的應用。

背景技術

近來，隨著電子器件或電器趨向于小型化、低功耗、高性能、多功能等等，已經開發了能夠將信息儲存在諸如計算機和便攜式通信設備的各種電子器件或電器中的電子器件。因此，已經對能夠利用根據施加到其上的電壓或電流而在不同電阻狀態之間的切換特性來儲存數據的半導體器件進行了研究。半導體器件的示例是電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)、磁性隨機存取存儲器(MRAM)以及電子熔絲等。

發明內容

實施例涉及一種能夠改善存儲單元的操作特性和可靠性的電子器件，以及一種用于制造該電子器件的方法。

根據本公開的一方面，提供了一種包括半導體存儲器的電子器件，其中所述半導體器件包括：行線；與行線交叉的列線；存儲單元，其位于行線與列線的交叉區域中，所述存儲單元包括上電極和下電極；以及界面層，其位于存儲單元的下電極與行線之間，所述界面層的寬度比行線的寬度窄。

根據本公開的另一方面，提供了一種包括半導體存儲器的電子器件，其中所述半導體存儲器包括：行線；與行線交叉的列線；存儲單元，其位于行線與列線的交叉區域中，所述存儲單元包括上電極和下電極；以及界面層，其位于存儲單元的下電極與行線之間，所述界面層包括刻蝕速率高于行線的刻蝕速率的材料。

根據本公開的又一方面，提供了一種用于制造包括半導體存儲器的電子器件的方法，該方法包括：在用于行線的導電層上形成用于界面層的導電層；在用于界面層的導電層上形成包括下電極層和上電極層的單元層疊結構；通過刻蝕所述單元層疊結構來形成包括上電極和下電極的單元圖案；以及通過刻蝕用于界面層的導電層和用于行線的導電層來形成行線和界面層，其中，所述界面層位于所述下電極與所述行線之間，并且具有比所述行線的寬度更窄的寬度。

附圖說明

現在將在下文中參考附圖更全面地描述示例實施例；然而，它們可以以不同的形式體現，并且不應被解釋為限于本文闡述的實施例。相反，提供這些實施例以使得本公開將是徹底和完整的，并且將把示例實施例的范圍完全傳達給本領域技術人員。

在附圖中，為了圖示清楚，可能會放大尺寸。將理解的是，當元件被稱為在兩個元件之間時，它可以是兩個元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個或更多個居間元件。貫穿全文，相似的附圖標記指代相似的元件。

圖1A和圖1B是示出根據本公開的實施例的電子器件的結構的視圖。

圖2A、圖2B和圖2C是示出根據本公開的實施例的電子器件的結構的視圖。

圖3A和圖3B是示出根據本公開的實施例的電子器件的結構的視圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F和圖4G是示出根據本公開的實施例的用于制造包括半導體存儲器的電子器件的方法的視圖。

圖5是實施了根據本公開的實施例的存儲器件的微處理器的配置圖。

圖6是實施了根據本公開的實施例的存儲器件的處理器的配置圖。

圖7是實施了根據本公開的實施例的存儲器件的系統的配置圖。