[發(fā)明專利]電子器件和用于制造電子器件的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911157066.0
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN111952333A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 李賢真;高永錫;李政勛;李賢敏
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種包括半導體存儲器的電子器件，其中，所述半導體存儲器包括：

多個行線；

與所述行線交叉的多個列線；

多個存儲單元，其相應地位于所述行線與所述列線的多個交叉區(qū)域中，每個所述存儲單元都包括上電極和下電極；以及

多個界面層，其位于所述存儲單元的下電極與所述行線之間，每個所述界面層的第一寬度窄于所述行線中的對應的一個行線的第二寬度。

2.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，每個所述界面層的第一寬度窄于所述下電極的第三寬度。

3.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述下電極的下表面的第三寬度寬于所述下電極的上表面的第四寬度，并且每個所述界面層的第一寬度窄于所述下電極的下表面的所述第三寬度。

4.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述下電極的下表面的第三寬度寬于所述下電極的上表面的第四寬度，并且每個所述界面層的第一寬度窄于所述下電極的上表面的第四寬度。

5.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述第二寬度窄于所述下電極的第三寬度。

6.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，每個所述存儲單元還包括位于所述上電極與所述下電極之間的可變電阻層，并且每個所述界面層的第一寬度窄于所述可變電阻層的第三寬度。

7.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，每個所述存儲單元還包括可變電阻層、中間電極和開關層，所述可變電阻層、所述中間電極和所述開關層被層疊在所述下電極與所述上電極之間，并且每個所述界面層的第一寬度窄于所述開關層的第三寬度。

8.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述界面層包括鎢硅氮化物(WSiNx)，并且所述行線包括鎢(W)。

9.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述行線各自在第一方向上延伸，所述列線各自在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，每個所述界面層在所述第二方向上的第一寬度窄于每個所述行線在所述第二方向上的第二寬度，并且所述第一寬度窄于所述下電極在所述第二方向上的第三寬度。

10.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述行線各自在第一方向上延伸，所述列線各自在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且所述界面層各自在所述第一方向上延伸。

11.根據(jù)權利要求10所述的電子器件，其中，每個所述界面層的上表面包括位于在第一方向上相鄰的存儲單元之間的凹槽。

12.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述界面層相應地位于所述交叉區(qū)域中。

13.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述行線各自在第一方向上延伸，所述列線各自在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且在所述第二方向上相鄰的界面層之間的距離寬于在所述第二方向上相鄰的行線之間的距離。

14.根據(jù)權利要求1所述的電子器件，其中，所述行線各自在第一方向上延伸，所述列線各自在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且在所述第二方向上相鄰的界面層之間的距離寬于在所述第二方向上相鄰的存儲單元之間的距離。

15.一種包括半導體存儲器的電子器件，其中，所述半導體存儲器包括：

多個行線；

與所述行線交叉的多個列線；

多個存儲單元，其相應地位于所述行線與所述列線的多個交叉區(qū)域中，每個所述存儲單元包括上電極和下電極；以及

多個界面層，其位于所述存儲單元的下電極與所述行線之間，所述界面層包括刻蝕速率高于所述行線的刻蝕速率的材料。