[發明專利]有機發光二極管顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201911150565.7 | 申請日: | 2019-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN111029374A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 李偉;陳誠 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種有機發光二極管(organic light?emitting diode,OLED)顯示面板及其制造方法。OLED顯示面板包括無機層、第一有機層、金屬走線、第二有機層。無機層包括第一表面及第二表面,第一表面具有走線狹縫。第一有機層及金屬走線位于走線狹縫中。第二有機層設置于第一表面上。其中,金屬走線遠離第一有機層的表面與第一表面共平面。
技術領域
本發明涉及有機發光二極管(organic light-emitting diode,OLED)顯示面板技術領域,特別是涉及一種提高金屬走線抗彎折能力的OLED顯示面板及其制造方法。
背景技術
有機發光二極管(organic light-emitting diode,OLED)顯示面板由于其顯示顏色鮮艷、顯示亮度高、顯示對比度高、觀賞視角寬、省電等特性,受到制造商及消費者的喜愛,OLED顯示面板逐漸成為行動裝置市場的大宗。
當OLED顯示面板采用軟性基板制造時,便可以實現OLED顯示面板的彎折。但是,目前OLED顯示面板彎折技術還不夠成熟,當OLED顯示面板頻繁彎折后,彎折區的金屬走線將會產生應力集中,在應力集中、累積后,往往會造成金屬走線疲勞而斷裂,導致OLED顯示面板無法通過斷裂的金屬走線傳遞顯示訊號,因而產生顯示缺陷。
因此,目前市場上符合頻繁彎折需求的OLED顯示面板良率不高、難以量產,影響了產品的價格,限制了產品的推廣以及使用。
發明內容
為解決以上問題,本發明提供有機發光二極管(organic light-emitting diode,OLED)顯示面板,包括無機層、第一有機層、金屬走線、第二有機層。所述無機層包括第一表面及第二表面,所述第一表面具有走線狹縫。所述第一有機層位于所述走線狹縫中。所述金屬走線位于所述走線狹縫中且堆疊于所述第一有機層上。所述第二有機層設置于第一表面上。其中,所述金屬走線遠離所述第一有機層的表面與所述第一表面共平面。
在本發明的OLED顯示面板中,當所述OLED顯示面板彎折時,通過所述第一有機層分散所述金屬走線所受到應力。
在本發明的OLED顯示面板中,所述走線狹縫通過走線光罩對所述無機層進行光刻工藝形成。
在本發明的OLED顯示面板中,所述第一有機層通過灰化工藝調整至預定厚度。
在本發明的OLED顯示面板中,所述第一有機層及所述第二有機層為聚酰亞胺材料。
同時,本發明提供OLED顯示面板制造方法,包括以下步驟:
步驟S1:提供無機層,所述無機層包括第一表面及第二表面。
步驟S2:通過走線光罩對所述第一表面進行光刻工藝,形成走線狹縫。
步驟S3:在所述第一表面及所述走線狹縫中涂布第一有機層。
步驟S4:對所述第一有機層進行灰化工藝,將所述第一有機層調整至預定厚度。
步驟S5:在所述第一表面上、所述走線狹縫中、以及所述第一有機層上沉積金屬層。
步驟S6:通過所述走線光罩對所述金屬層進行光刻工藝,形成金屬走線,所述金屬走線遠離所述第一有機層的表面與所述第一表面共平面。
步驟S7:在所述第一表面上覆蓋第二有機層。
在本發明的OLED顯示面板制造方法中,當所述OLED顯示面板彎折時,通過所述第一有機層分散所述金屬走線所受到應力。
在本發明的OLED顯示面板制造方法中,所述第一有機層在所述走線狹縫中的寬度與所述金屬走線在所述走線狹縫中的寬度相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





