[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911150565.7 | 申請日: | 2019-11-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111029374A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李偉;陳誠 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diode,OLED)顯示面板,其特征在于,包括:
無機(jī)層,所述無機(jī)層包括第一表面及第二表面,所述第一表面具有走線狹縫;
第一有機(jī)層,所述第一有機(jī)層位于所述走線狹縫中;
金屬走線,所述金屬走線位于所述走線狹縫中且堆疊于所述第一有機(jī)層上;以及
第二有機(jī)層,所述第二有機(jī)層設(shè)置于第一表面上;
其中,所述金屬走線遠(yuǎn)離所述第一有機(jī)層的表面與所述第一表面共平面。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,當(dāng)所述OLED顯示面板彎折時(shí),通過所述第一有機(jī)層分散所述金屬走線所受到應(yīng)力。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述走線狹縫通過走線光罩對所述無機(jī)層進(jìn)行光刻工藝形成。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一有機(jī)層通過灰化工藝調(diào)整至預(yù)定厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一有機(jī)層及所述第二有機(jī)層為聚酰亞胺材料。
6.一種有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diode,OLED)顯示面板制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:提供無機(jī)層,所述無機(jī)層包括第一表面及第二表面;
步驟S2:通過走線光罩對所述第一表面進(jìn)行光刻工藝,形成走線狹縫;
步驟S3:在所述第一表面及所述走線狹縫中涂布第一有機(jī)層;
步驟S4:對所述第一有機(jī)層進(jìn)行灰化工藝,將所述第一有機(jī)層調(diào)整至預(yù)定厚度;
步驟S5:在所述第一表面上、所述走線狹縫中、以及所述第一有機(jī)層上沉積金屬層;
步驟S6:通過所述走線光罩對所述金屬層進(jìn)行光刻工藝,形成金屬走線,所述金屬走線遠(yuǎn)離所述第一有機(jī)層的表面與所述第一表面共平面;以及
步驟S7:在所述第一表面上覆蓋第二有機(jī)層。
7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板制造方法,其特征在于,當(dāng)所述OLED顯示面板彎折時(shí),通過所述第一有機(jī)層分散所述金屬走線所受到應(yīng)力。
8.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板制造方法,其特征在于,所述第一有機(jī)層在所述走線狹縫中的寬度與所述金屬走線在所述走線狹縫中的寬度相同。
9.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板制造方法,其特征在于,所述金屬走線靠近所述第一有機(jī)層的表面貼合所述第一有機(jī)層靠近所述金屬走線的表面。
10.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板制造方法,其特征在于,所述第一有機(jī)層及所述第二有機(jī)層為聚酰亞胺材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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