[發明專利]一種閃存寫入方法、閃存芯片及非易失性的存儲設備

有效

• 申請號: 201911149761.2
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN111028878B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 張吉興;武藝;李東起;楊亞飛;李衛軍
• 申請（專利權）人: 深圳大普微電子科技有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/08;G11C16/24
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 譚友丹

1.一種閃存寫入方法，應用于非易失性的存儲設備，所述非易失性的存儲設備包括多個字線和多個位線，每一所述字線由多個存儲單元組成，每一所述位線對應所述字線中唯一的存儲單元，其特征在于，所述方法包括：

為每一位線設置對應的狀態標志位，所述狀態標志位包括導通標志和斷開標志；

獲取至少一個所述字線中的全部存儲單元的目標比特值；

對至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元進行電壓脈沖，讀取至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元的當前比特值；

確定所述當前比特值與所述目標比特值相同的存儲單元，將所述當前比特值與所述目標比特值相同的存儲單元對應的狀態標志位設置為斷開標志；

重復對至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元進行電壓脈沖，直至至少一個字線中的每一存儲單元的當前比特值與所述目標比特值相同；

將至少一個所述字線中的全部存儲單元的狀態標志位設置為導通標志。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述為每一位線設置對應的狀態標志位，包括：

為每一所述位線設置對應的狀態標志元器件，所述狀態標志元器件包括導通狀態和斷開狀態，所述導通狀態對應所述狀態標志位的導通標志，所述斷開狀態對應所述狀態標志位的斷開標志。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元進行電壓脈沖，讀取至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元的當前比特值，包括：

獲取至少一個所述字線中的任一存儲單元的當前電壓值；

根據所述當前電壓值，確定所述存儲單元的電壓狀態；

根據所述存儲單元的電壓狀態，確定所述存儲單元的當前比特值。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在對至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元進行電壓脈沖，讀取至少一個所述字線中的狀態標志位為導通標志的存儲單元的當前比特值的步驟之前，所述方法還包括：

預先將至少一個所述字線中的全部存儲單元設置為初始狀態。

5.根據權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

緩存所述非易失性的存儲設備的至少一個字線中的全部存儲單元的目標比特值。

6.一種閃存芯片，其特征在于，包括：

多個晶圓，每一所述晶圓包括多個分組，每一所述分組包括多個物理塊，每一所述物理塊包括多個物理頁；

其中，所述物理頁包括多個存儲單元，所述多個存儲單元的控制柵連接形成字線，所述多個存儲單元的源極和漏極連接形成位線，每一所述位線設置有狀態標志元器件，所述狀態標志元器件用于標識其對應的位線的存儲單元是否達到預期的電壓值。

7.根據權利要求6所述的閃存芯片，其特征在于，還包括：

緩沖器，用于緩存至少一個字線中的全部存儲單元的目標比特值。

8.根據權利要求6所述的閃存芯片，其特征在于，所述狀態標志元器件可以為：半導體二極管和/或半導體三極管和/或MOS管。

9.根據權利要求6-8任一項所述的閃存芯片，其特征在于，所述閃存芯片可以為SLC閃存芯片或者MLC閃存芯片或者TLC閃存芯片或者QLC閃存芯片。

10.一種非易失性的存儲設備，其特征在于，包括：

如權利要求6-9任一項所述的閃存芯片；

閃存控制器，所述閃存控制器包括：

至少一個處理器；以及，

與所述至少一個處理器通信連接的存儲器；其中，

所述存儲器存儲有可被所述至少一個處理器執行的指令，所述指令被所述至少一個處理器執行，以使所述至少一個處理器能夠執行權利要求1-5任一項所述的方法。