[發(fā)明專利]一種閃存寫入方法、閃存芯片及非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911149761.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN111028878B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張吉興;武藝;李東起;楊亞飛;李衛(wèi)軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳大普微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C16/08;G11C16/24
• 代理公司: 深圳市六加知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44372
• 代理人: 譚友丹

本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲(chǔ)設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域，公開了一種閃存寫入方法、閃存芯片及非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備，閃存寫入方法包括為每一位線設(shè)置對(duì)應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志位，獲取至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元的目標(biāo)比特值；進(jìn)行電壓脈沖，讀取至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元的當(dāng)前比特值；確定當(dāng)前比特值與目標(biāo)比特值相同的存儲(chǔ)單元，將當(dāng)前比特值與目標(biāo)比特值相同的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志位設(shè)置為斷開標(biāo)志；重復(fù)對(duì)至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元進(jìn)行電壓脈沖，直至至少一個(gè)字線中的每一存儲(chǔ)單元的當(dāng)前比特值與目標(biāo)比特值相同，并將至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元的狀態(tài)標(biāo)志位設(shè)置為導(dǎo)通標(biāo)志。通過上述方式，本發(fā)明實(shí)施例能夠降低閃存芯片在寫入時(shí)的功耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域，特別是涉及一種閃存寫入方法、閃存芯片及非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備。

背景技術(shù)

固態(tài)硬盤(Solid State Drives，SSD)，是采用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤，固態(tài)硬盤包括控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH存儲(chǔ)芯片以及DRAM存儲(chǔ)芯片)，而運(yùn)用NAND閃存介質(zhì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的固態(tài)硬盤在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)中占據(jù)的地位越來越高，固態(tài)硬盤與主機(jī)交互的接口速度越來越快，從SATA接口的600MB/s的理論速度漸漸升級(jí)到當(dāng)前主流PCIe第三代接口的4GB/s，然而閃存芯片單通道的性能沒有本質(zhì)的提高，為了匹配閃存與接口的速度，一般的固態(tài)硬盤主控設(shè)計(jì)都是多通道設(shè)計(jì)，即令多個(gè)閃存芯片并行工作，用數(shù)量的優(yōu)勢彌補(bǔ)單通道性能的劣勢，N個(gè)通道并行工作能將性能提升到單通道的N倍，所以理論上只需要疊加通道的數(shù)量就能解決閃存性能問題。

然而實(shí)際情況下，多通道一起工作，其功耗必然會(huì)線性增加，當(dāng)通道數(shù)量N變大后，整個(gè)SSD的工作功耗也會(huì)線性增加，特別是在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用場景中，用戶會(huì)持續(xù)向SSD寫入數(shù)據(jù)，導(dǎo)致功耗很高，造成非常大的耗電量。

基于此，現(xiàn)有技術(shù)亟待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例旨在提供一種閃存寫入方法、閃存芯片及非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備，其能夠減少閃存寫入的功耗。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種閃存寫入方法，應(yīng)用于非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備，所述非易失性的存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)字線和多個(gè)位線，每一所述字線由多個(gè)存儲(chǔ)單元組成，每一所述位線對(duì)應(yīng)所述字線中唯一的存儲(chǔ)單元，所述方法包括：

為每一位線設(shè)置對(duì)應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志位，所述狀態(tài)標(biāo)志位包括導(dǎo)通標(biāo)志和斷開標(biāo)志；

獲取所述至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元的目標(biāo)比特值；

對(duì)所述至少一個(gè)字線中的狀態(tài)標(biāo)志位為導(dǎo)通標(biāo)志的存儲(chǔ)單元進(jìn)行電壓脈沖，讀取所述至少一個(gè)字線中的狀態(tài)標(biāo)志位為導(dǎo)通標(biāo)志的存儲(chǔ)單元的當(dāng)前比特值；

確定所述當(dāng)前比特值與所述目標(biāo)比特值相同的存儲(chǔ)單元，將所述當(dāng)前比特值與所述目標(biāo)比特值相同的存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志位設(shè)置為斷開標(biāo)志；

重復(fù)對(duì)所述至少一個(gè)字線中的狀態(tài)標(biāo)志位為導(dǎo)通標(biāo)志的存儲(chǔ)單元進(jìn)行電壓脈沖，直至至少一個(gè)字線中的每一存儲(chǔ)單元的當(dāng)前比特值與所述目標(biāo)比特值相同；

將所述至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元的狀態(tài)標(biāo)志位設(shè)置為導(dǎo)通標(biāo)志。

在一些實(shí)施例中，所述為每一位線設(shè)置對(duì)應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志位，包括：

為每一所述位線設(shè)置對(duì)應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志元器件，所述狀態(tài)標(biāo)志元器件包括導(dǎo)通狀態(tài)和斷開狀態(tài)，所述導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)應(yīng)所述狀態(tài)標(biāo)志位的導(dǎo)通標(biāo)志，所述斷開狀態(tài)對(duì)應(yīng)所述狀態(tài)標(biāo)志位的斷開標(biāo)志。

在一些實(shí)施例中，所述對(duì)所述至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元進(jìn)行電壓脈沖，讀取所述至少一個(gè)字線中的全部存儲(chǔ)單元的當(dāng)前比特值，包括：

獲取所述至少一個(gè)字線中的任一存儲(chǔ)單元的當(dāng)前電壓值；

根據(jù)所述當(dāng)前電壓值，確定所述存儲(chǔ)單元的電壓狀態(tài)；