[發明專利]激光器芯片制備方法和激光器

在審

• 申請號: 201911149650.1
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN112825415A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 鄭兆禎;陳長安
• 申請（專利權）人: 深圳市中光工業技術研究院
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34
• 代理公司: 深圳市智圈知識產權代理事務所(普通合伙) 44351
• 代理人: 劉云青

本發明提供一種激光器芯片制備方法，包括：提供激光巴條，激光巴條包括相背的第一腔面和第二腔面；通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理，其中，激光輻射的持續時間為10秒至600秒。本發明提供的激光器芯片制備方法通過激光輻射的方式對激光巴條的腔面進行退火處理，能夠減少腔面的光吸收，提高腔面的帶隙寬度，降低腔面的災變性光學鏡面損傷，增大激光器芯片的最大輸出功率。本發明還提供一種激光器。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種激光器芯片制備方法和激光器。

背景技術

在半導體激光器領域中，災變性光學鏡面損傷(Catastrophic Optical Damage，COD)是影響半導體激光器的最大輸出功率的重要因素，如何降低激光器的腔面的COD已成為重要的研究課題。

發明內容

本發明提出了一種激光器芯片制備方法和激光器以解決以上問題。

本發明實施例通過以下技術方案來實現上述目的。

第一方面，本發明實施例提供一種激光器芯片制備方法，包括：提供激光巴條，激光巴條包括相背的第一腔面和第二腔面；通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理，其中，激光輻射的持續時間為10秒至600秒。

在一個實施例中，激光巴條的數量為兩個或多于兩個，在通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，激光器芯片制備方法還包括：堆疊兩個或多于兩個的激光巴條，并使第一腔面均處于同一平面，以及第二腔面均處于同一平面。

在一個實施例中，在通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，激光器芯片制備方法還包括：在第一腔面和第二腔面分別形成鈍化層；通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理，包括：通過激光輻射的方式透過鈍化層對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理。

在一個實施例中，鈍化層為由三氧化二鋁、二氧化硅、五氧化二鉭中的至少一種形成的單層或多層結構。

在一個實施例中，在通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，激光器芯片制備方法還包括：向第一腔面和第二腔面分別注入離子。

在一個實施例中，提供激光巴條包括：提供外延片；對外延片進行解理以形成激光巴條。

在一個實施例中，激光的波長為250nm至1500nm。

在一個實施例中，激光經由激光光源發出，激光光源發出激光時的功率為100W/cm²至1MW/cm²。

在一個實施例中，在通過激光輻射的方式對第一腔面的量子阱區域和第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，激光器芯片制備方法還包括：在第一腔面形成增透膜；在第二腔面形成反射膜。

第二方面，本發明實施例提供一種激光器，激光器包括由上述任一實施例的激光器芯片制備方法制成的激光器芯片。

本發明提供的激光器芯片制備方法和激光器通過激光輻射的方式對激光巴條的腔面進行退火處理，能夠減少腔面的光吸收，提高腔面的帶隙寬度，降低腔面的災變性光學鏡面損傷，增大激光器芯片的最大輸出功率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現有技術提供的原子擴散技術的示意圖。