[發明專利]激光器芯片制備方法和激光器在審
| 申請號： | 201911149650.1 | 申請日： | 2019-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN112825415A | 公開（公告）日： | 2021-05-21 |
| 發明（設計）人： | 鄭兆禎;陳長安 | 申請（專利權）人： | 深圳市中光工業技術研究院 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市智圈知識產權代理事務所(普通合伙) 44351 | 代理人： | 劉云青 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光器 芯片 制備 方法 | ||
1.一種激光器芯片制備方法，其特征在于，包括：
提供激光巴條，所述激光巴條包括相背的第一腔面和第二腔面；
通過激光輻射的方式對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理，其中，所述激光輻射的持續時間為10秒至600秒。
2.根據權利要求1所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，所述激光巴條的數量為兩個或多于兩個，在所述通過激光輻射的方式對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，所述激光器芯片制備方法還包括：
堆疊兩個或多于兩個的所述激光巴條，并使所述第一腔面均處于同一平面，以及所述第二腔面均處于同一平面。
3.根據權利要求1或2所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，在所述通過激光輻射的方式對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，所述激光器芯片制備方法還包括：
在所述第一腔面和所述第二腔面分別形成鈍化層；
所述通過激光輻射的方式對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理，包括：
通過激光輻射的方式透過所述鈍化層對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理。
4.根據權利要求3所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，所述鈍化層為由三氧化二鋁、二氧化硅、五氧化二鉭中的至少一種形成的單層或多層結構。
5.根據權利要求1所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，在所述通過激光輻射的方式對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，所述激光器芯片制備方法還包括：
向所述第一腔面和所述第二腔面分別注入離子。
6.根據權利要求1所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，所述提供激光巴條包括：
提供外延片；
對所述外延片進行解理以形成所述激光巴條。
7.根據權利要求1所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，所述激光的波長為250nm至1500nm。
8.根據權利要求1所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，所述激光經由激光光源發出，所述激光光源發出所述激光時的功率為100W/cm2至1MW/cm2。
9.根據權利要求1所述的激光器芯片制備方法，其特征在于，在所述通過激光輻射的方式對所述第一腔面的量子阱區域和所述第二腔面的量子阱區域進行退火處理之前，所述激光器芯片制備方法還包括：
在所述第一腔面形成增透膜；
在所述第二腔面形成反射膜。
10.一種激光器，其特征在于，包括：
由權利要求1-9任一項所述的激光器芯片制備方法制成的激光器芯片。
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