[發明專利]電子設備以及操作電子設備的方法

在審

• 申請號: 201911141091.X
• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN111883194A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 李炯東;金泰勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

提供一種電子設備以及操作電子設備的方法。電子設備可以包括半導體存儲器，該半導體存儲器包括：位線；與位線交叉的字線；以及存儲單元，其耦接至位線和字線并且設置在位線與字線之間，其中，在讀取操作中，當處于預充電狀態下的字線被浮置時，位線被驅動以增大位線的電壓電平，而當存儲單元被導通時，停止對位線的驅動。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年5月3日提交的申請號為10-2019-0052466的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的各種實施例總體上涉及存儲電路或器件及其在電子設備中的應用。

背景技術

近來，隨著電子設備的小型化、低功耗、高性能和多樣化的要求，在諸如計算機和便攜式通信設備的各種電子設備中需要被配置為儲存信息的半導體器件。另外，已經積極對可以代替動態隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器的下一代存儲器件進行了研究。

下一代存儲器件之一可以是使用可變電阻材料的電阻式存儲器件，該可變電阻材料能夠因由施加到該可變電阻材料的偏壓而引起的電阻的急劇變化而在至少兩種不同的電阻狀態之間切換。電阻式存儲器件可以包括電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁性隨機存取存儲器(MRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)、電熔絲等中的任意一種。

發明內容

本公開的各種實施例涉及一種能夠從電阻式存儲器件穩定地讀取數據的電子設備。

根據一個實施例，一種操作包括存儲單元的電子設備的方法，該方法包括：對與存儲單元相關聯的選中的字線進行預充電；使選中的字線浮置；驅動選中的位線以增大選中的位線的電壓電平，該選中的位線與存儲單元相關聯；以及當存儲單元被導通時，停止對選中的位線的驅動。

根據一個實施例，一種操作包括存儲單元的電子設備的方法，該方法包括：對選中的局部字線預充電；使選中的局部字線浮置；導通選中的局部開關以經由選中的局部位線將讀取電壓施加到選中的存儲單元，選中的存儲單元耦接到選中的局部字線和選中的局部位線并設置在選中的局部字線與選中的局部位線之間，所述選中的局部開關將選中的局部位線耦接到全局位線；以及當選中的存儲單元通過讀取電壓而被導通時，關斷選中的局部開關。

根據一個實施例，一種電子設備可以包括半導體存儲器，該半導體存儲器包括：位線；與位線交叉的字線；以及存儲單元，其耦接至位線和字線并且設置在位線與字線之間，其中，在讀取操作中，當處于預充電狀態下的字線被浮置時，位線被驅動以增大位線的電壓電平，而當存儲單元被導通時，停止對位線的驅動。

附圖說明

圖1示出根據本公開的一個實施例的存儲器件；

圖2是示出根據本公開的一個實施例的存儲單元的I-V曲線的曲線圖；

圖3是示出根據本公開的一個實施例的操作存儲器件的方法的流程圖；

圖4A和圖4B示出根據本公開的一個實施例的操作存儲器件的方法；

圖5A和圖5B示出根據本公開的一個實施例的操作存儲器件的方法；

圖6A和圖6B示出根據本公開的一個實施例的操作存儲器件的方法；

圖7A和圖7B示出根據本公開的一個實施例的操作存儲器件的方法；

圖8示出了根據本公開的一個實施例的采用存儲器件的微處理器；

圖9示出了根據本公開的一個實施例的采用存儲器件的處理器；

圖10示出了根據本公開的一個實施例的采用存儲器件的系統；

圖11示出了根據本公開的一個實施例的采用存儲器件的數據儲存系統；以及