[發(fā)明專利]電子設(shè)備以及操作電子設(shè)備的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911141091.X | 申請(qǐng)日: | 2019-11-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111883194A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李炯東;金泰勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C13/00 | 分類號(hào): | G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 許偉群;阮愛(ài)青 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子設(shè)備 以及 操作 方法 | ||
1.一種操作包括存儲(chǔ)單元的電子設(shè)備的方法,所述方法包括:
對(duì)與存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的選中的字線進(jìn)行預(yù)充電;
使所述選中的字線浮置;
驅(qū)動(dòng)選中的位線以增大所述選中的位線的電壓電平,所述選中的位線與所述存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián);以及
當(dāng)所述存儲(chǔ)單元被導(dǎo)通時(shí),停止對(duì)所述選中的位線的驅(qū)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,停止對(duì)所述選中的位線的驅(qū)動(dòng)的步驟包括:關(guān)斷耦接所述存儲(chǔ)單元和所述選中的位線的開(kāi)關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,停止對(duì)所述選中的位線的驅(qū)動(dòng)的步驟包括:減小所述選中的位線的電壓電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述選中的字線被浮置之后的預(yù)定時(shí)刻停止對(duì)所述選中的位線的驅(qū)動(dòng),所述預(yù)定時(shí)刻對(duì)應(yīng)于所述存儲(chǔ)單元被導(dǎo)通的時(shí)刻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在使所述選中的字線浮置之后,響應(yīng)于所述選中的字線的電壓電平的增大而停止對(duì)所述選中的位線的驅(qū)動(dòng)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括:在停止對(duì)所述選中的位線的驅(qū)動(dòng)之后,通過(guò)感測(cè)所述選中的字線的電壓電平來(lái)讀取儲(chǔ)存在所述存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。
7.一種操作包括存儲(chǔ)單元的電子設(shè)備的方法,所述方法包括:
對(duì)選中的局部字線進(jìn)行預(yù)充電;
使所述選中的局部字線浮置;
導(dǎo)通選中的局部開(kāi)關(guān),以經(jīng)由選中的局部位線將讀取電壓施加到選中的存儲(chǔ)單元,所述選中的存儲(chǔ)單元耦接到所述選中的局部字線和所述選中的局部位線并且設(shè)置在所述選中的局部字線與所述選中的局部位線之間,所述選中的局部開(kāi)關(guān)將所述選中的局部位線耦接到全局位線;以及
當(dāng)所述選中的存儲(chǔ)單元通過(guò)所述讀取電壓而被導(dǎo)通時(shí),關(guān)斷所述選中的局部開(kāi)關(guān)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,關(guān)斷所述選中的局部開(kāi)關(guān)的步驟包括:在使所述選中的局部字線浮置之后的預(yù)定時(shí)刻關(guān)斷所述選中的局部開(kāi)關(guān),所述預(yù)定時(shí)刻對(duì)應(yīng)于所述選中的存儲(chǔ)單元被導(dǎo)通的時(shí)刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,關(guān)斷所述選中的局部開(kāi)關(guān)的步驟包括:
在使所述選中的局部字線浮置之后,感測(cè)所述選中的局部字線的電壓電平;以及
響應(yīng)于所述選中的局部字線的電壓電平的增大而關(guān)斷所述選中的局部開(kāi)關(guān)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,當(dāng)所述選中的局部開(kāi)關(guān)被導(dǎo)通時(shí),所述選中的局部位線的電壓電平增大。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述電子設(shè)備還包括全局開(kāi)關(guān),所述全局開(kāi)關(guān)耦接至所述全局位線;以及
其中,當(dāng)所述選中的局部開(kāi)關(guān)被關(guān)斷時(shí),關(guān)斷所述全局開(kāi)關(guān)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述電子設(shè)備還包括全局開(kāi)關(guān),所述全局開(kāi)關(guān)耦接至所述全局位線;以及
其中,在所述選中的局部開(kāi)關(guān)被關(guān)斷之后,關(guān)斷所述全局開(kāi)關(guān)。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述電子設(shè)備還包括局部放電晶體管,所述局部放電晶體管耦接至所述選中的局部位線;以及
其中,當(dāng)所述選中的局部開(kāi)關(guān)被關(guān)斷時(shí),所述局部放電晶體管被導(dǎo)通。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述電子設(shè)備還包括:全局開(kāi)關(guān),所述全局開(kāi)關(guān)耦接至所述全局位線;以及全局放電晶體管,所述全局放電晶體管耦接至所述全局位線;以及
其中,當(dāng)所述選中的局部開(kāi)關(guān)被關(guān)斷時(shí),所述全局開(kāi)關(guān)被關(guān)斷而所述全局放電晶體管被導(dǎo)通。
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