[發明專利]量子點發光器件及其制備方法、發光裝置有效
| 申請號: | 201911139404.8 | 申請日: | 2019-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN112331778B | 公開(公告)日: | 2023-02-07 |
| 發明(設計)人: | 眭俊 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/115 | 分類號: | H10K50/115;H10K50/00;H10K71/00 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武嬌 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子 發光 器件 及其 制備 方法 裝置 | ||
本發明涉及一種量子點發光器件及其制備方法、裝置。量子點發光器件包括層疊設置的陽極、空穴傳輸層、界面修飾層、量子點發光層和陰極;所述界面修飾層設置于所述量子點發光層及所述空穴傳輸層之間,所述界面修飾層包括具有核殼結構的第一量子點,所述第一量子點的殼層組分為p型半導體。該量子點發光器件在量子點發光層和空穴傳輸層之間設置界面修飾層,界面修飾層包括具有核殼結構的第一量子點,且第一量子點的殼層組分為p型半導體,利于空穴傳輸,降低空穴從空穴傳輸層到量子點發光層的勢壘,提高空穴的遷移率,促進器件的載流子平衡,從而提高量子點發光器件的發光效率和穩定性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種量子點發光器件及其制備方法、發光裝置。
背景技術
顯示技術從早期的陰極射線管(CRT),到20世紀80年代中期的液晶顯示(LCD)、等離子體平板顯示(PDP),再到目前主流的OLED和QLED,完成了一次又一次質的飛躍。
有機致發光二極管(OLED)由于其具有自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、視角寬、低功耗、可柔性顯示等十分優異的顯示性能,已成為顯示技術領域中的主流技術。
量子點發光二極管(QLED)具有出射光顏色飽和,波長可調的優點,而且光致、電致發光量子產率高,近年來成了OLED的有力競爭者。QLED中的量子點發光層材料也從早期的單核結構,發展到了現在的核殼結構,其中核層材料一般使用穩定的硒化鎘(CdSe)量子點,在紅/綠QLED中有較高的性能,殼層材料一般使用硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鋅(ZnS)等,這些材料(包括核層材料和殼層材料)都是n型半導體材料,從材料本身來講,電子遷移率要大于空穴遷移率,并且從電子傳輸層到量子點發光層之間的電子傳輸墊壘,比從空穴傳輸層到量子點發光層之間的空穴傳輸墊壘要小得多,兩方面原因疊加造成器件中載流子不平衡,發光中心容易偏移,激子容易淬滅,導致器件效率和穩定性不高。
因此,現有技術還有待改進和發展。
發明內容
基于此,有必要提供一種發光效率高、穩定性好的量子點發光器件及其制備方法。
一種量子點發光器件,包括層疊設置的陽極、空穴傳輸層、界面修飾層、量子點發光層和陰極;
所述界面修飾層設置于所述量子點發光層及所述空穴傳輸層之間,所述界面修飾層包括具有核殼結構的第一量子點,所述第一量子點的殼層組分為p型半導體。
上述量子點發光器件在量子點發光層和空穴傳輸層之間設置界面修飾層,界面修飾層包括具有核殼結構的第一量子點,且第一量子點的殼層組分為p型半導體,利于空穴傳輸,降低空穴從空穴傳輸層到量子點發光層的勢壘,提高空穴的遷移率,促進器件的載流子平衡,從而提高量子點發光器件的發光效率和穩定性。
在其中一個實施例中,所述第一量子點的殼層組分的禁帶寬度小于所述第一量子點的核層組分的禁帶寬度。
界面修飾層中的第一量子點的殼層組分對核層組分的電荷具有離域作用,當空穴從空穴傳輸層傳輸到界面修飾層時,空穴會被離域到量子點發光層,進一步促進空穴的傳輸,提高空穴的遷移率和載流子平衡。
在其中一個實施例中,所述第一量子點的殼層組分選自PbS,PbSe和ZnTe中的至少一種,所述第一量子點的核層組分選自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述量子點發光層包括具有核殼結構的第二量子點;所述第二量子點的核層與所述第一量子點的核層的組分相同,且所述第二量子點的殼層組分為n型半導體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東聚華印刷顯示技術有限公司,未經廣東聚華印刷顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911139404.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





