[發明專利]量子點發光器件及其制備方法、發光裝置有效
| 申請號： | 201911139404.8 | 申請日： | 2019-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN112331778B | 公開（公告）日： | 2023-02-07 |
| 發明（設計）人： | 眭俊 | 申請（專利權）人： | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H10K50/115 | 分類號： | H10K50/115;H10K50/00;H10K71/00 |
| 代理公司： | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 侯武嬌 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子 發光 器件 及其 制備 方法 裝置 | ||
1.一種量子點發光器件，其特征在于，包括層疊設置的陽極、空穴傳輸層、界面修飾層、量子點發光層和陰極；所述界面修飾層設置于所述量子點發光層及所述空穴傳輸層之間，所述界面修飾層包括具有核殼結構的第一量子點，所述第一量子點的殼層組分為p型半導體；
所述第一量子點的殼層組分的禁帶寬度小于所述第一量子點的核層組分的禁帶寬度;
所述量子點發光層包括具有核殼結構的第二量子點；所述第二量子點的殼層組分為n型半導體。
2.根據權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述第一量子點的殼層組分選自PbS，PbSe和ZnTe中的至少一種，所述第一量子點的核層組分選自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述第二量子點的核層與所述第一量子點的核層的組分相同。
4.根據權利要求3所述的量子點發光器件，其特征在于，所述第二量子點的核層組分選自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe中的至少一種，所述第二量子點的殼層組分選自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述界面修飾層的厚度為5 nm~20 nm；所述量子點發光層的厚度為10 nm ~ 30 nm。
6.根據權利要求3所述的量子點發光器件，其特征在于，所述量子點發光器件還包括電子阻擋層，所述電子阻擋層設置在所述量子點發光層靠近所述陰極的一側，所述電子阻擋層的材料為n型半導體。
7.根據權利要求6所述的量子點發光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料與所述第二量子點的殼層的組分相同。
8.根據權利要求6所述的量子點發光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的厚度為10nm ~ 50 nm。
9.根據權利要求1所述的量子點發光器件，其特征在于，所述量子點發光器件還包括設置在陽極和空穴傳輸層之間的空穴注入層；和/或
設置在陰極和電子阻擋層之間的電子傳輸層。
10.一種量子點發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供陽極，于所述陽極上形成空穴傳輸層；
于所述空穴傳輸層上形成界面修飾層；
于所述界面修飾層上形成量子點發光層；
于所述量子點發光層上形成陰極；
其中，形成所述界面修飾層的材料包括具有核殼結構的第一量子點，所述第一量子點的殼層組分為p型半導體；
所述第一量子點的殼層組分的禁帶寬度小于所述第一量子點的核層組分的禁帶寬度；
所述量子點發光層包括具有核殼結構的第二量子點；所述第二量子點的殼層組分為n型半導體。
11.一種發光裝置，其特征在于，包括權利要求1~9任一項所述的量子點發光器件或者采用權利要求10所述制備方法制備得到的量子點發光器件。
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