[發明專利]一種半導體焊接方法

在審

• 申請號: 201911139250.2
• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN112823996A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 郎鑫濤
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: B23K26/21
• 分類號: B23K26/21;B23K26/067;H01L21/50;H01L21/60;B23K101/40
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明提供了一種半導體焊接方法，所述方法包括以下步驟：(1)將待焊接的半導體固定；(2)將焊球置于半導體的焊接位置；(3)將原始激光束進行分束形成6～8束分束激光加熱焊球進行焊接，其中，所述原始激光束的脈寬為80fs～100ns，所述原始激光束的直徑為0.1μm～2μm，所述原始激光束的功率為0.5～1W。本發明的半導體焊接方法采用激光法進行焊接，采用了特定的原始激光束的脈寬、直徑和功率，并且將原始激光束進行分束形成6～8束分束激光同時分別進行不同的部位焊接，焊接的有效率高，焊接的時間短，節約了時間成本和人力成本，降低了半導體加工的成本。

技術領域

本發明屬于半導體制備技術領域，具體涉及一種半導體焊接方法。

背景技術

隨著現代科技的發展，半導體器件在各行各業中上取得了廣泛的應用，人們對半導體器件的可靠性提出了越來越高的要求，半導體的焊接失效往往是致命的，不可逆的，會造成一定的經濟損失。現階段半導體元件的焊接方法主要采用激光焊接法，激光焊接具有深度大，變形小的優點，可以在室溫或特殊條件下進行焊接，通過控制激光脈沖的脈寬、能量、功率和波長等參數，發射聚焦后的單束高能量激光束，對加工件需要焊接的特定焊接部位進行輻射，使熱量通過熱傳導向內部擴散，進行焊接，可焊接難以接近的部位，施行非接觸遠距離焊接，但現階段的激光焊接技術也存在一定的缺陷，激光焊接的本質是采用高能量密度的激光束作為熱源，初始激光束聚焦后的能量比較大，會造成焊縫高低不平，焊接成型差的缺陷，而且，焊接部位的數量直接決定了加工周期的長短，采用現階段的激光焊接技術，耗時嚴重，操作繁雜，效率低下，會造成很大的人力成本，時間成本損失。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的不足之處而提供一種半導體焊接方法。

為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種半導體焊接方法，所述方法包括以下步驟：

(1)將待焊接的半導體固定；

(2)將焊球置于半導體的焊接位置；

(3)將原始激光束進行分束形成6～8束分束激光加熱焊球進行焊接，其中，所述原始激光束的脈寬為80fs～100ns，所述原始激光束的直徑為0.1μm～2μm，所述原始激光束的功率為0.5～1W。

上述的半導體焊接方法采用激光法進行焊接，采用了特定的原始激光束的脈寬、直徑和功率，并且將原始激光束進行分束形成6～8束分束激光同時分別進行不同的部位焊接，焊接的有效率高，焊接的時間短，節約了時間成本和人力成本，降低了半導體加工的成本。

優選地，所述步驟(3)中，分束激光加熱焊球進行焊接的時間為90～300ms。

優選地，所述步驟(3)中，原始激光束的直徑為1.1μm～2μm。

發明人經過研究發現，上述的半導體焊接方法的原始激光束的直徑為1.1μm～2μm時，在同等焊接效果的情況下，縮短了焊接時間，節約了時間成本降低了半導體加工的成本。

優選地，所述步驟(3)中，原始激光束的功率為0.7～1W。

發明人經過研究發現，上述的半導體焊接方法的原始激光束的功率為0.7～1W時，在同等焊接效果的情況下，縮短了焊接時間，節約了時間成本降低了半導體加工的成本。

優選地，所述步驟(3)中，分束激光加熱焊球進行焊接的時間為90～200ms。

優選地，所述步驟(3)中，原始激光束的功率為0.9～1W。

發明人經過研究發現，上述的半導體焊接方法的始激光束的功率為0.9～1W時，在同等焊接效果的情況下，縮短了焊接時間，節約了時間成本降低了半導體加工的成本。

優選地，所述步驟(3)中，分束激光加熱焊球進行焊接的時間為90～100ms。