[發明專利]精密匹配電阻陣列及其校準方法有效
| 申請號: | 201911137070.0 | 申請日: | 2019-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN110837016B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 吳建剛 | 申請(專利權)人: | 思瑞浦微電子科技(蘇州)股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00;H01C13/00;H01C13/02 |
| 代理公司: | 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 精密 匹配 電阻 陣列 及其 校準 方法 | ||
1.一種精密匹配電阻陣列,其特征在于,所述電阻陣列包括串聯于輸入端和輸出端之間的固定電阻和可調電阻,所述固定電阻包括若干串聯設置的電阻對,可調電阻包括串聯設置的串聯單元和并聯單元,所述串聯單元包括若干串聯設置的第一電阻、及分別與第一電阻并聯設置的第一控制元件,所述并聯單元包括若干并聯設置的第二電阻、及分別與第二電阻串聯設置的第二控制元件,所述可調電阻的阻值通過第一控制元件和/或第二控制元件進行調節,所述電阻對包括串聯設置的第三電阻及第四電阻。
2.根據權利要求1所述的精密匹配電阻陣列,其特征在于,所述第一控制元件和/第二控制元件為短路開關。
3.根據權利要求1所述的精密匹配電阻陣列,其特征在于,所述第一電阻、第二電阻、第三電阻及第四電阻為poly電阻或薄膜電阻。
4.根據權利要求1所述的精密匹配電阻陣列,其特征在于,所述電阻陣列包括串聯于第一輸入端和第一輸出端之間的第一固定電阻和第一可調電阻、及串聯于第二輸入端和第二輸出端之間的第二固定電阻和第二可調電阻。
5.一種精密匹配電阻陣列的校準方法,所述精密匹配電阻陣列為權利要求1~4中任一項所述的精密匹配電阻陣列,其特征在于,所述方法包括:
S1、通過第一控制元件和/或第二控制元件對可調電阻進行校準,使增益精度達到增益閾值和/或匹配精度達到匹配閾值;
S2、控制固定電阻周邊的相對電場場強,使固定電阻的電壓線性度達到線性度閾值;
所述步驟S2中,控制固定電阻周邊的相對電場場強包括:
通過控制電阻對中第三電阻與第四電阻之間的電壓、第三電阻與第四電阻兩端的電壓、及電路布局形成的相對電場分布,使每個電阻對的相對電場場強一致;
其中,控制電阻對中第三電阻與第四電阻之間的電壓具體為:取相鄰第三電阻和第四電阻的中間電壓作為電阻對的襯底電位;
其中,控制電阻對中第三電阻與第四電阻兩端的電壓具體為:取相鄰第三電阻和第四電阻的中間電壓作為兩個電阻縱向上極板,電阻對兩端分別作為各自的下極板。
6.根據權利要求5所述的校準方法,其特征在于,所述步驟S1包括:
S11、通過第一可調電阻中的第一控制元件和/或第二控制元件對第一可調電阻進行校準,使得第一固定電阻與第一可調電阻達到第一增益閾值和/或第一匹配閾值;
S12、通過第二可調電阻中的第一控制元件和/或第二控制元件對第二可調電阻進行校準,使得第二固定電阻與第二可調電阻達到第二增益閾值和/或第二匹配閾值,且,第一可調電阻和第二可調電阻整體達到第三匹配閾值。
7.根據權利要求5所述的校準方法,其特征在于,所述步驟S1中,通過第一控制元件和/或第二控制元件對可調電阻進行校準具體為:
控制可調電阻中第一控制元件的短路或開路狀態,對可調電阻中串聯單元的阻值進行校準;
控制可調電阻中第二控制元件的短路或開路狀態,對可調電阻中并聯單元的阻值進行校準。
8.根據權利要求6所述的校準方法,其特征在于,所述第二增益閾值小于第一增益閾值,第二匹配閾值小于第一匹配閾值,且第三匹配閾值小于第一匹配閾值。
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