[發(fā)明專利]觸點圖案化的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911136247.5
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111490014A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金炳鈗
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及用于觸點圖案化的方法。本發(fā)明描述與將感測線觸點上方的材料圖案化相關(guān)的方法、設(shè)備及系統(tǒng)。實例方法包含在襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上方與感測線方向成角度地形成感測線觸點圖案，其中沿著第一感測線列中的感測線觸點與第二感測線列中的感測線觸點之間的路徑形成與所述感測線方向所成的所述角度。所述實例方法進一步包含去除掩模材料的對應(yīng)于所述感測線觸點圖案的一部分以形成感測線觸點。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般來說涉及半導(dǎo)體裝置及方法，且更特定來說涉及將材料圖案化。

背景技術(shù)

存儲器裝置通常經(jīng)提供為計算機或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)、磁性隨機存取存儲器(MRAM)、電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)及快閃存儲器以及其它存儲器。一些類型的存儲器裝置可為非易失性存儲器(例如，ReRAM)且可用于需要高存儲器密度、高可靠性及低電力消耗的寬廣范圍的電子應(yīng)用。與在失去電力的情況下保持其所存儲狀態(tài)的非易失性存儲器單元(例如，快閃存儲器單元)相反，易失性存儲器單元(例如，DRAM單元)需要電力來保持其所存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，經(jīng)由刷新過程)。然而，各種易失性存儲器單元(例如DRAM單元)可比各種非易失性存儲器單元(例如快閃存儲器單元)更快地操作(例如，編程、讀取、擦除等)。

發(fā)明內(nèi)容

在一個方面中，本申請案提供一種方法，其包括：在襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上方與感測線方向成角度地形成感測線觸點圖案，其中沿著第一感測線列中的感測線觸點的作用區(qū)與第二感測線列中的感測線觸點的作用區(qū)之間的路徑形成與所述感測線方向所成的所述角度；及去除掩模材料的對應(yīng)于所述感測線觸點圖案的一部分以形成感測線觸點。

在另一方面中，本申請案提供一種方法，其包括：在襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的感測線觸點的作用區(qū)上方形成掩模材料；沿著感測線觸點的作用區(qū)的路徑與感測線方向成角度地將所述材料圖案化；及使用第一蝕刻來去除所述材料的對應(yīng)于感測線觸點的作用區(qū)的圖案的一部分以形成感測線觸點。

在又一方面中，本申請案提供一種方法，其包括：在襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的位線(BL)觸點的作用區(qū)及電容器單元(CC)觸點的作用區(qū)上方沉積掩模材料；沿著BL觸點的作用區(qū)的路徑與BL方向成角度地將所述材料圖案化；及蝕刻所述材料的對應(yīng)于BL觸點的作用區(qū)的圖案的一部分。

附圖說明

圖1到6圖解說明根據(jù)本發(fā)明的若干個實施例在用于將感測線觸點的作用區(qū)上方的材料圖案化的實例制作序列中的各種時間點處實例存儲器裝置的一部分的俯視圖。

圖7到9是根據(jù)本發(fā)明的若干個實施例的用于將感測線觸點的作用區(qū)上方的材料圖案化的實例方法的流程圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的若干個實施例包含至少一個存儲器系統(tǒng)的計算系統(tǒng)的功能框圖。

圖11圖解說明包含根據(jù)本發(fā)明的若干個實施例形成的到感測線的感測線觸點的存儲器裝置的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的實例的一部分的橫截面圖。

具體實施方式

存儲器裝置(例如，包含易失性或非易失性存儲器單元的那些存儲器裝置)上的各種類型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包含可形成到半導(dǎo)體材料中以在其上產(chǎn)生用于后續(xù)半導(dǎo)體處理步驟的開口的直線溝槽及/或圓形、正方形、橢圓形等空腔。各種材料可使用化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體沉積等來沉積，且使用光學(xué)光刻技術(shù)圖案化，摻雜且使用氣體蝕刻、濕式蝕刻及/或干式蝕刻過程來蝕刻以在襯底上形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此些開口可含納貢獻于數(shù)據(jù)存取、存儲及/或處理或者貢獻于存儲器裝置上的各種支撐結(jié)構(gòu)的各種材料或與所述各種材料相關(guān)聯(lián)。作為實例，電容器材料可沉積到這些開口中以提供數(shù)據(jù)存取、存儲及/或處理。