[發明專利]一種批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法

有效

• 申請號: 201911135771.0
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111103740B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 張斌;宋景翠;李朝暉;潘競順;朱鶯;曾平羊;楊澤林;夏迪
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35;G03F7/00;G02F1/01
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 王曉玲

1.一種批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.在無機材質襯底上旋涂聚合物電子膠，在電子膠上曝光和顯影沿垂直襯底方向制備出圓柱狀結構；

S2.在電子膠上沉積一層硫系薄膜，以硫系材料填充的圓柱狀結構為中心，曝光并刻蝕出盤狀結構；

S3.通過除膠劑去除聚合物電子膠，獲得懸空微盤結構；

S4.對微盤結構進行熱回流提升品質因子。

2.根據權利要求1所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的無機材質為硅、鍺、石英、氧化硅、藍寶石、碳化硅中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的曝光方式采用電子束或無掩膜曝光，刻蝕為等離子體干法刻蝕或濕法腐蝕。

4.根據權利要求1所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的聚合物電子膠為聚甲基丙烯酸酯PMMA，電子膠的厚度大于等于300nm，不超過2μm。

5.根據權利要求1所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的硫系薄膜為硫化砷As-S、硒化砷As-Se、鍺砷硒Ge-As-Se、砷碲硒As-Te-Se、鍺砷硫Ge-As-S、鍺銻硒Ge-Sb-Se、鍺銻硫Ge-Sb-S中的任意一種。

6.根據權利要求5所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的圓柱狀結構的深度范圍為300nm-42μm，直徑≥200nm；硫系薄膜厚度至少大于圓柱狀結構深度50nm，厚度范圍為0.354μm-5μm；沉積方式為熱蒸鍍、電子束蒸鍍或磁控濺射，沉積速度不超過5nm/分鐘。

7.根據權利要求5所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的盤狀結構的直徑大于圓柱形結構的直徑；盤狀結構為對稱性圓形或非對稱結構。

8.根據權利要求1至7任一項所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的除膠劑為丙酮。

9.根據權利要求8所述的批量化高品質因子硫系懸空微盤制備方法，其特征在于，所述的回流溫度根據硫系薄膜組分確定，范圍是180-300度；升溫速度不超過10度/分鐘；回流時間為0.5-24小時。