[發明專利]非易失性半導體存儲器裝置及其擦除控制電路、方法

有效

• 申請號: 201911134622.2
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111667869B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 馬蒂亞斯.伊夫.吉爾伯特.培爾
• 申請（專利權）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李芳華

1.一種非易失性半導體存儲器裝置的擦除控制電路，所述擦除控制電路控制對所述非易失性半導體存儲器裝置的存儲器單元中的數據進行擦除的擦除電壓，所述擦除控制電路包括：

斜率調整電路，基于所述擦除電壓的擦除脈沖的步進電壓、目標電壓以及步進寬度，控制所述擦除電壓的擦除脈沖的所述步進電壓、所述目標電壓以及所述步進寬度，從而控制具有臺階形狀的斜率，以產生所述擦除電壓，

其中，所述斜率調整電路包括：

擦除電壓產生電路，對于每一預定時鐘脈沖控制信號，基于所述步進電壓及所述目標電壓，以所述步進電壓將所述擦除電壓重復地增大至所述目標電壓；以及

時間計數器電路，基于所述步進寬度對與所述步進寬度對應的每一時間間隔重復地進行計時，從而將所述時鐘脈沖控制信號輸出至所述擦除電壓產生電路。

2.一種非易失性半導體存儲器裝置，包括權利要求1所述的非易失性半導體存儲器裝置的擦除控制電路。

3.一種非易失性半導體存儲器裝置的擦除控制方法，所述擦除控制方法用于控制對所述非易失性半導體存儲器裝置的存儲器單元中的數據進行擦除的擦除電壓，所述擦除控制方法包括以下步驟：

基于所述擦除電壓的擦除脈沖的步進電壓、目標電壓以及步進寬度，控制所述擦除電壓的擦除脈沖的所述步進電壓、所述目標電壓以及所述步進寬度，從而控制具有臺階形狀的斜率，以產生所述擦除電壓，

其中，所述產生所述擦除電壓的步驟包括以下步驟：

對于每一預定時鐘脈沖控制信號，基于所述步進電壓及所述目標電壓，以所述步進電壓將所述擦除電壓重復地增大至所述目標電壓；以及

基于所述步進寬度對與所述步進寬度對應的每一時間間隔重復地進行計時，從而輸出所述時鐘脈沖控制信號。