[發明專利]n倍驅動兩輸入與非門標準單元及其版圖有效
| 申請號: | 201911133036.6 | 申請日: | 2019-11-19 | 
| 公開(公告)號: | CN110866372B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 | 
| 發明(設計)人: | 虞蓓蕾;高唯歡;胡曉明 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 | 
| 主分類號: | G06F30/392 | 分類號: | G06F30/392 | 
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 張彥敏 | 
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 輸入 與非門 標準 單元 及其 版圖 | ||
1.一種n倍驅動兩輸入與非門標準單元的電路,其特征在于,包括:
兩輸入與門,包括第一PMOS晶體管PMOS1與第一NMOS晶體管NMOS1,且所述兩輸入與門用于接收一第一輸入信號A1和一第二輸入信號A2,將所述第一輸入信號A1和所述第二輸入信號A2作與運算后輸出中間輸出信號Sinter;以及
n倍驅動反相器,包括第二PMOS晶體管單元PMOS2和第二NMOS晶體管單元NMOS2,第二PMOS晶體管單元PMOS2包括n個PMOS晶體管并聯連接,第二NMOS晶體管單元NMOS2包括n個NMOS晶體管并聯連接,且所述n倍驅動反相器接收所述中間輸出信號Sinter,用于將所述中間輸出信號Sinter作取反運算后輸出最終輸出信號Sf,其中,n為反相器的驅動倍數,且n為大于等于2的偶數。
2.根據權利要求1所述的n倍驅動兩輸入與非門標準單元的電路,其特征在于,第一PMOS晶體管PMOS1的源極接地VSS,第一PMOS晶體管PMOS1的柵極與第一NMOS晶體管NMOS1的柵極相連接組成所述兩輸入與門的第一輸入端,用于接收第一輸入信號A1,第一PMOS晶體管PMOS1的漏極與第一NMOS晶體管NMOS1的漏極相連接組成所述兩輸入與門的輸出端,用于輸出中間輸出信號Sinter,第一NMOS晶體管NMOS1的源極構成所述兩輸入與門的第二輸入端,用于接收第二輸入信號A2。
3.根據權利要求2所述的n倍驅動兩輸入與非門標準單元的電路,其特征在于,當所述第一輸入信號A1為0,所述第二輸入信號A2為0時,第一PMOS晶體管PMOS1導通,第一NMOS晶體管NMOS1關閉,中間輸出信號Sinter等于地電壓VSS,等于0;當所述第一輸入信號A1為0,所述第二輸入信號A2為1時,第一PMOS晶體管PMOS1導通,第一NMOS晶體管NMOS1關閉,中間輸出信號Sinter等于地電壓VSS,等于0;當所述第一輸入信號A1為1,所述第二輸入信號A2為0時,第一PMOS晶體管PMOS1關閉,第一NMOS晶體管NMOS1導通,中間輸出信號Sinter等于所述第二輸入信號A2,等于0;當所述第一輸入信號A1為1,所述第二輸入信號A2為1時,第一PMOS晶體管PMOS1關閉,第一NMOS晶體管NMOS1導通,中間輸出信號Sinter等于所述第二輸入信號A2,等于1。
4.根據權利要求1所述的n倍驅動兩輸入與非門標準單元的電路,其特征在于,第二PMOS晶體管單元PMOS2的源極連接電壓端VDD,第二PMOS晶體管單元PMOS2的漏極連接第二NMOS晶體管單元NMOS2的漏極并構成n倍驅動兩輸入與非門標準單元的輸出端X,用于輸出最終輸出信號Sf,第二NMOS晶體管單元NMOS2的源極接地VSS,第二NMOS晶體管單元NMOS2的柵極連接第二PMOS晶體管單元PMOS2的柵極并構成n倍驅動反相器的輸入端,用于接收所述兩輸入與門輸出的中間輸出信號Sinter。
5.根據權利要求4所述的n倍驅動兩輸入與非門標準單元的電路,其特征在于,當所述中間輸出信號Sinter為0時,第二PMOS晶體管單元PMOS2導通,第二NMOS晶體管單元NMOS2關閉,最終輸出信號Sf等于電壓端VDD,等于1;當所述中間輸出信號Sinter為1時,第二PMOS晶體管單元PMOS2關閉,第二NMOS晶體管單元NMOS2導通,中間輸出信號Sinter等于地電壓VSS,等于0。
6.根據權利要求1所述的n倍驅動兩輸入與非門標準單元的電路,其特征在于,n倍驅動兩輸入與非門標準單元使用的晶體管的個數m=2+2n,其中n為兩輸入與非門標準單元的驅動倍數,為大于等于2的偶數。
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