[發(fā)明專(zhuān)利]電荷泵電路、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911132996.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111490676B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 村上洋樹(shù) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02M3/07 | 分類(lèi)號(hào): | H02M3/07;G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 周曉飛;薛平 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電荷 電路 半導(dǎo)體 裝置 以及 存儲(chǔ) | ||
1.一種電荷泵電路,其特征在于,包含:
主泵電路,包含:第1節(jié)點(diǎn),與第1電容器電容耦合;以及第1晶體管,連接該第1節(jié)點(diǎn),可提供電壓給該第1節(jié)點(diǎn);當(dāng)?shù)?時(shí)鐘信號(hào)施加在該第1電容器之后,可將該第1節(jié)點(diǎn)的電壓升壓;以及
控制用泵電路,連接該主泵電路;
其中,當(dāng)?shù)?節(jié)點(diǎn)升壓之后,該控制用泵電路控制該第1晶體管的運(yùn)作,使得反方向的電流不會(huì)從第1節(jié)點(diǎn)流經(jīng)第1晶體管;
該控制用泵電路,包含:第2節(jié)點(diǎn),與第2電容器電容耦合;以及第2晶體管,連接該第2節(jié)點(diǎn),可提供電壓給該第2節(jié)點(diǎn);當(dāng)?shù)?時(shí)鐘信號(hào)施加在該第2電容器之后,可將該第2節(jié)點(diǎn)的電壓升壓;
該第2節(jié)點(diǎn)連接該第1晶體管的柵極;該第1時(shí)鐘信號(hào)上升與下降的轉(zhuǎn)移期間,與該第2時(shí)鐘信號(hào)上升與下降的轉(zhuǎn)移期間不重復(fù);
該第2電容器的電容比該第1電容器的電容還要小;
該主泵電路,更包含:第3節(jié)點(diǎn),與第3電容器電容耦合;以及第3晶體管,連接該第3節(jié)點(diǎn),可提供電壓給該第3節(jié)點(diǎn);當(dāng)?shù)?時(shí)鐘信號(hào)施加在該第3電容器之后,可將該第3節(jié)點(diǎn)的電壓升壓;
該控制用泵電路,包含:第4節(jié)點(diǎn),與第4電容器電容耦合;以及第4晶體管,連接該第4節(jié)點(diǎn),可提供電壓給該第4節(jié)點(diǎn);當(dāng)?shù)?時(shí)鐘信號(hào)施加在該第4電容器之后,可將該第4節(jié)點(diǎn)的電壓升壓;
該第4節(jié)點(diǎn)連接該第3晶體管的柵極;該第4電容器的電容比該第3電容器的電容還要小;該第3時(shí)鐘信號(hào)為該第1時(shí)鐘信號(hào)反轉(zhuǎn)后的時(shí)鐘信號(hào);該第4時(shí)鐘信號(hào)為該第2時(shí)鐘信號(hào)反轉(zhuǎn)后的時(shí)鐘信號(hào);
該主泵電路,包含:第5晶體管,位于該第1節(jié)點(diǎn)與輸出端子之間,與該第1晶體管的導(dǎo)電型相異;以及第6晶體管,位于該第3節(jié)點(diǎn)與該輸出端子之間,與該第3晶體管的導(dǎo)電型相異;該第1晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第2節(jié)點(diǎn)連接;該第5晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第2節(jié)點(diǎn)連接;該第3晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第4節(jié)點(diǎn)連接;該第6晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第4節(jié)點(diǎn)連接;
該控制用泵電路,包含:第7晶體管,位于該第2節(jié)點(diǎn)與該輸出端子之間,與該第2晶體管的導(dǎo)電型相異;以及第8晶體管,位于該第4節(jié)點(diǎn)與該輸出端子之間,與該第4晶體管的導(dǎo)電型相異;該第2晶體管的柵極與該第4節(jié)點(diǎn)連接;該第7晶體管的柵極與該第4節(jié)點(diǎn)連接;該第4晶體管的柵極與該第2節(jié)點(diǎn)連接;該第8晶體管的柵極與該第2節(jié)點(diǎn)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電荷泵電路,
其特征在于,該第1晶體管至該第4晶體管為NMOS晶體管;該第5晶體管至該第8晶體管為PMOS晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的電荷泵電路,包含多段的主泵電路以及多段的控制用泵電路;
其特征在于,該第1晶體管與前段的主泵電路的第5晶體管串聯(lián);該第3晶體管與前段的主泵電路的第6晶體管串聯(lián);
其中,該第2晶體管與前段的控制用泵電路的第7晶體管串聯(lián);該第4晶體管與前段的控制用泵電路的第8晶體管串聯(lián)。
4.如權(quán)利要求1至3任一所述的電荷泵電路,
其特征在于,該主泵電路以及該控制用泵電路為KER型泵電路。
5.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包含:
如權(quán)利要求1至3任一所述的電荷泵電路。
6.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于,包含:
如權(quán)利要求1至3任一所述的電荷泵電路。
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