[發明專利]電荷泵電路、半導體裝置以及半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201911132996.0
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111490676B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 村上洋樹
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;G11C5/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 周曉飛;薛平

1.一種電荷泵電路，其特征在于，包含：

主泵電路，包含：第1節點，與第1電容器電容耦合；以及第1晶體管，連接該第1節點，可提供電壓給該第1節點；當第1時鐘信號施加在該第1電容器之后，可將該第1節點的電壓升壓；以及

控制用泵電路，連接該主泵電路；

其中，當第1節點升壓之后，該控制用泵電路控制該第1晶體管的運作，使得反方向的電流不會從第1節點流經第1晶體管；

該控制用泵電路，包含：第2節點，與第2電容器電容耦合；以及第2晶體管，連接該第2節點，可提供電壓給該第2節點；當第2時鐘信號施加在該第2電容器之后，可將該第2節點的電壓升壓；

該第2節點連接該第1晶體管的柵極；該第1時鐘信號上升與下降的轉移期間，與該第2時鐘信號上升與下降的轉移期間不重復；

該第2電容器的電容比該第1電容器的電容還要小；

該主泵電路，更包含：第3節點，與第3電容器電容耦合；以及第3晶體管，連接該第3節點，可提供電壓給該第3節點；當第3時鐘信號施加在該第3電容器之后，可將該第3節點的電壓升壓；

該控制用泵電路，包含：第4節點，與第4電容器電容耦合；以及第4晶體管，連接該第4節點，可提供電壓給該第4節點；當第4時鐘信號施加在該第4電容器之后，可將該第4節點的電壓升壓；

該第4節點連接該第3晶體管的柵極；該第4電容器的電容比該第3電容器的電容還要小；該第3時鐘信號為該第1時鐘信號反轉后的時鐘信號；該第4時鐘信號為該第2時鐘信號反轉后的時鐘信號；

該主泵電路，包含：第5晶體管，位于該第1節點與輸出端子之間，與該第1晶體管的導電型相異；以及第6晶體管，位于該第3節點與該輸出端子之間，與該第3晶體管的導電型相異；該第1晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第2節點連接；該第5晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第2節點連接；該第3晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第4節點連接；該第6晶體管的柵極與該控制用泵電路的該第4節點連接；

該控制用泵電路，包含：第7晶體管，位于該第2節點與該輸出端子之間，與該第2晶體管的導電型相異；以及第8晶體管，位于該第4節點與該輸出端子之間，與該第4晶體管的導電型相異；該第2晶體管的柵極與該第4節點連接；該第7晶體管的柵極與該第4節點連接；該第4晶體管的柵極與該第2節點連接；該第8晶體管的柵極與該第2節點連接。

2.如權利要求1所述的電荷泵電路，

其特征在于，該第1晶體管至該第4晶體管為NMOS晶體管；該第5晶體管至該第8晶體管為PMOS晶體管。

3.如權利要求2所述的電荷泵電路，包含多段的主泵電路以及多段的控制用泵電路；

其特征在于，該第1晶體管與前段的主泵電路的第5晶體管串聯；該第3晶體管與前段的主泵電路的第6晶體管串聯；

其中，該第2晶體管與前段的控制用泵電路的第7晶體管串聯；該第4晶體管與前段的控制用泵電路的第8晶體管串聯。

4.如權利要求1至3任一所述的電荷泵電路，

其特征在于，該主泵電路以及該控制用泵電路為KER型泵電路。

5.一種半導體裝置，其特征在于，包含：

如權利要求1至3任一所述的電荷泵電路。

6.一種半導體存儲裝置，其特征在于，包含：

如權利要求1至3任一所述的電荷泵電路。