[發明專利]一種單晶制絨的提拉方法及裝置

有效

• 申請號: 201911132267.5
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110752263B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 賈永前;樊歡歡;董慧
• 申請（專利權）人: 晶海洋半導體材料（東海）有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 徐穎聰

本發明提供一種單晶制絨的提拉方法及裝置，其中，單晶制絨的慢提拉方法，用于硅片的預脫水中，所述硅片裝在花籃的插槽中，包括：在所述硅片離開水的表面之前，將盛裝所述硅片的花籃傾斜第一角度；在所述硅片離開水的表面之后，將盛裝所述硅片的花籃傾斜第二角度，以所述硅片向所述插槽的側壁傾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。根據本發明實施例的光單晶制絨的提拉方法，能夠在單晶制絨清洗硅片過程中，提高硅片脫水效果，減少硅片邊緣制絨發白的問題，提高硅片良品率。

技術領域

本發明涉及一種單晶制絨的提拉方法及裝置。

背景技術

單晶硅片加工過程中，越來越多的采用金剛線切割技術，金剛線切割屬于固結磨料切割，對比砂線切割，金剛線切割的特點為表面致密、光滑，在后續單晶硅片制絨過程中，堿液與金剛線切割硅片表面的反應速度較慢，制絨過程對臟污的屏蔽能力減弱，會造成制絨發白斑、白邊等問題，現有單晶清洗工藝往往只重視硅片的藥劑配比，添加量，藥槽清洗時間及清洗溫度方面細微調整，但是對單晶制絨臟污的改善都不理想。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種單晶制絨的提拉方法及裝置，用以提高硅片脫水均勻性及制絨后的潔凈度。

為解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：

根據本發明第一方面實施例的單晶制絨的慢提拉方法，用于硅片的預脫水中，所述硅片裝在花籃的插槽中，包括：

在所述硅片離開水的表面之前，將盛裝所述硅片的花籃傾斜第一角度；

在所述硅片離開水的表面之后，將盛裝所述硅片的花籃傾斜第二角度，以使所述硅片向所述插槽的側壁傾斜，所述第一角度小于第二角度。

所述第一角度及第二角度是指花籃底部平面相對于水的表面的角度。

優選地，所述第一角度范圍為0°到10°之間。

優選地，當所述硅片的厚度在165-180μm時，所述第二角度為20-40，優選為21°。

優選地，通過控制程序控制所述花籃傾斜的第一角度和第二角度。

優選地，在所述硅片離開水的表面之前，硅片在水中提拉的時間為10-60s，優選為30s，在所述硅片離開水的表面之后，硅片的提拉的時間為10-60s，優選為30s。

根據本發明第二方面實施例的單晶制絨的慢提拉裝置，包括：

提拉架；

花籃，所述花籃固定在所述提拉架上，所述花籃內部設有多個用于盛裝硅片的插槽；

驅動裝置，所述驅動裝置與所述提拉架連接，用于驅動所述提拉架翻轉以調節所述花籃傾斜的角度；

所述驅動裝置在所述硅片離開水的表面之前，驅動盛裝所述硅片的花籃傾斜第一角度，以使所述硅片向所述插槽的側壁傾斜，并在所述硅片離開水的表面之后，驅動盛裝所述硅片的花籃傾斜第二角度，以增大所述硅片向所述插槽的側壁傾斜的角度，所述第一角度小于第二角度。

優選地，所述單晶制絨的慢提拉裝置，還包括：

控制器，所述控制器與所述驅動裝置連接，并控制所述驅動裝置在所述硅片離開水的表面之前，驅動盛裝所述硅片的花籃傾斜第一角度，并在所述硅片離開水的表面之后，驅動盛裝所述硅片的花籃傾斜第二角度。

優選地，所述第一角度范圍在0°到10°之間。

優選地，當所述硅片的厚度在165-180μm時，所述第二角度為20-40°，優選地21°。

優選地，所述單晶制絨的慢提拉裝置，還包括：

液位傳感器，所述液位傳感器與所述控制器連接，所述液位傳感器用于監測硅片是否離開水的表面。