[發明專利]一種陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201911131998.8
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111029344A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 林振國;周星宇;徐源竣;呂伯彥
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本申請提供一種陣列基板及其制備方法，該陣列基板包括：襯底基板，制備于襯底基板上的薄膜晶體管以及存儲電容；所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、以及源/漏極；所述存儲電容包括第一電極以及通過介電層隔絕的第二電極；所述柵極設置于所述第一電極之上且位于所述第一電極的一端；所述第二電極與所述第一電極對應所述柵極之外的部分相對應。由于本申請的所述第一電極與所述第二電極均為透明電極，因此解決大尺寸顯示面板的像素開口率較低的問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

現有大尺寸高分辨率的顯示面板，主要問題之一是解決開口率的問題，即薄膜晶體管(TFT)以及電容盡量占比少，以增加像素透光區域的面積，從而增大像素開口率。但是電容和TFT需要一定的尺寸才能保證良好的功能，所以現有顯示面板的電容和TFT尺寸減小的幅度有限，依然會占用一定的像素區域，從而影響顯示面板的開口率。

因此，現有技術存在缺陷，急需改進。

發明內容

本申請提供一種陣列基板及其制備方法，能夠增加像素的開口率，提高顯示面板的分辨率，并且制備方法簡單、節約制造成本。

為解決上述問題，本申請提供的技術方案如下：

本申請提供一種陣列基板，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，設置于所述襯底基板上；

存儲電容，設置于所述襯底基板上；

所述存儲電容包括第一電極以及通過介電層隔絕的第二電極，所述第一電極與所述第二電極均為透明電極。

在本申請的陣列基板中，所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、以及源/漏極；

所述柵極設置于所述第一電極之上，并且位于所述第一電極的一端；

所述有源層絕緣的設置于所述柵極之上；

所述源/漏極分別設置于所述有源層的兩端，并且與所述有源層電性連接。

在本申請的陣列基板中，所述第二電極與所述有源層同層且間隔設置，并且，所述第二電極與所述第一電極對應所述柵極之外的部分相對應，所述第二電極與所述源/漏極之間存在間隙。

在本申請的陣列基板中，所述柵極在所述襯底基板上的正投影落入所述第一電極在所述襯底基板上的正投影范圍內。

在本申請的陣列基板中，所述第二電極在所述襯底基板上的正投影落入所述第一電極在所述襯底基板上的正投影范圍內。

在本申請的陣列基板中，所述薄膜晶體管以及所述存儲電容上還層疊設置有鈍化層和像素電極，所述鈍化層在對應所述漏極以及所述第二電極的位置設有過孔，所述像素電極通過所述過孔分別與所述漏極以及所述第二電極電連接。

在本申請的陣列基板中，所述第一電極的材料包括銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、銦鋁鋅氧化物中的一種或一種以上。

在本申請的陣列基板中，所述第二電極的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的一種或或一種以上。

在本申請的陣列基板中，所述有源層與所述第二電極所用材料相同，所述第二電極是經由導體化形成的。

本申請還提供一種陣列基板的制備方法，所述方法包括以下步驟：

步驟S10，在襯底基板上依次形成第一電極層和柵極層；

步驟S20，采用第一道半色調掩膜工藝對所述第一電極層和所述柵極層進行曝光、顯影，同時形成第一電極和位于所述第一電極之上的柵極，其中，所述柵極對應形成于所述第一電極的一端；