[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911131998.8
• 申請(qǐng)日: 2019-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN111029344A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林振國(guó);周星宇;徐源竣;呂伯彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，設(shè)置于所述襯底基板上；

存儲(chǔ)電容，設(shè)置于所述襯底基板上；

所述存儲(chǔ)電容包括第一電極以及通過介電層隔絕的第二電極，所述第一電極與所述第二電極均為透明電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、以及源/漏極；

所述柵極設(shè)置于所述第一電極之上，并且位于所述第一電極的一端；

所述有源層絕緣的設(shè)置于所述柵極之上；

所述源/漏極分別設(shè)置于所述有源層的兩端，并且與所述有源層電性連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極與所述有源層同層且間隔設(shè)置，并且，所述第二電極與所述第一電極對(duì)應(yīng)所述柵極之外的部分相對(duì)應(yīng)，所述第二電極與所述源/漏極之間存在間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極在所述襯底基板上的正投影落入所述第一電極在所述襯底基板上的正投影范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極在所述襯底基板上的正投影落入所述第一電極在所述襯底基板上的正投影范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管以及所述存儲(chǔ)電容上還層疊設(shè)置有鈍化層和像素電極，所述鈍化層在對(duì)應(yīng)所述漏極以及所述第二電極的位置設(shè)有過孔，所述像素電極通過所述過孔分別與所述漏極以及所述第二電極電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極的材料包括銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、銦鋁鋅氧化物中的一種或一種以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的一種或或一種以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層與所述第二電極所用材料相同，所述第二電極是經(jīng)由導(dǎo)體化形成的。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟S10，在襯底基板上依次形成第一電極層和柵極層；

步驟S20，采用第一道半色調(diào)掩膜工藝對(duì)所述第一電極層和所述柵極層進(jìn)行曝光、顯影，同時(shí)形成第一電極和位于所述第一電極之上的柵極，其中，所述柵極對(duì)應(yīng)形成于所述第一電極的一端；

步驟S30，在所述柵極以及所述第一電極上依次形成介電層、圖案化的氧化物半導(dǎo)體層以及源漏金屬層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括有源層和氧化物半導(dǎo)體圖塊；

步驟S40，采用第二道半色調(diào)掩膜工藝對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行曝光、顯影，露出所述氧化物半導(dǎo)體圖塊，并對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體圖塊進(jìn)行導(dǎo)體化，形成第二電極，之后形成源/漏極；

其中，所述第一電極和所述第二電極均為透明電極。