[發(fā)明專利]一種OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法與裝置

有效

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• 申請日: 2019-11-18
• 公開（公告）號: CN110971990B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭文強(qiáng);蔣旭;侯陽洋
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心有限公司;武漢光迅科技股份有限公司
• 主分類號: H04Q11/00
• 分類號: H04Q11/00;H04B10/077
• 代理公司: 深圳市愛迪森知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44341
• 代理人: 何婷

1.一種OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，包括：

通過控制芯片產(chǎn)生特定的SD/LOS檢測時序，并作用于ONU和待測OLT，使ONU發(fā)送突發(fā)光信號；其中，所述SD/LOS檢測時序可調(diào)節(jié)；

所述待測OLT接收所述ONU發(fā)送的光信號，并向所述控制芯片反饋突發(fā)的SD/LOS信號；

所述控制芯片接收待測OLT反饋的SD/LOS信號，并通過沿觸發(fā)或電平觸發(fā)計數(shù)判斷SD/LOS是否響應(yīng)，進(jìn)而檢測SD/LOS的響應(yīng)電平、去響應(yīng)電平和/或響應(yīng)時間是否滿足要求；

SD響應(yīng)時間的測試是通過控制RST下降沿與BEN下降沿之間的脈沖寬度來控制的，調(diào)節(jié)兩個脈沖信號之間的相位差，前面的BEN部分被RST強(qiáng)制復(fù)位，SD保持低電平；檢測時序中RST的上升沿超前于BEN的上升沿，以保證SD的響應(yīng)次數(shù)與BEN發(fā)送次數(shù)對應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，所述通過控制芯片產(chǎn)生特定的SD/LOS檢測時序，并作用于ONU和待測OLT，具體為：

通過控制芯片輸出同步且特定相位差的BEN脈沖信號和RST脈沖信號；所述BEN脈沖信號作用于ONU，并用于控制所述ONU發(fā)送突發(fā)光信號；所述RST脈沖信號作用于待測OLT，并用于復(fù)位所述待測OLT的SD/LOS鎖存狀態(tài)；

其中，所述BEN脈沖信號和所述RST脈沖信號各自的脈沖寬度以及相位位置均為可調(diào)節(jié)，且響應(yīng)時間是通過調(diào)節(jié)所述BEN脈沖信號和所述RST脈沖信號的脈沖寬度和/或相位位置來調(diào)節(jié)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，當(dāng)光功率大于第一預(yù)設(shè)閾值時，通過調(diào)節(jié)BEN脈沖信號和RST脈沖信號各自的脈沖寬度和/或相位位置，使得響應(yīng)時間滿足預(yù)設(shè)時間閾值，以便進(jìn)行SD/LOS的響應(yīng)測試；

則所述控制芯片通過沿觸發(fā)或電平觸發(fā)計數(shù)后，如果發(fā)現(xiàn)SD/LOS響應(yīng)，則證明SD/LOS的響應(yīng)測試達(dá)標(biāo)，對應(yīng)的響應(yīng)電平和響應(yīng)時間均滿足要求；如果發(fā)現(xiàn)SD/LOS不響應(yīng)，則證明SD/LOS的響應(yīng)測試不達(dá)標(biāo)，對應(yīng)的響應(yīng)電平和/或響應(yīng)時間不滿足要求。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，當(dāng)確定SD/LOS的響應(yīng)測試是否達(dá)標(biāo)之后，所述方法還包括：

將響應(yīng)時間固定，通過不斷調(diào)節(jié)ONU發(fā)送的光信號強(qiáng)度來調(diào)節(jié)響應(yīng)電平；每調(diào)節(jié)一次后，通過沿觸發(fā)或電平觸發(fā)計數(shù)實(shí)時判斷SD/LOS是否響應(yīng)；當(dāng)檢測至響應(yīng)與不響應(yīng)的臨界點(diǎn)時，確定SD/LOS的真實(shí)響應(yīng)電平。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，當(dāng)確定SD/LOS的響應(yīng)測試是否達(dá)標(biāo)之后，則所述方法還包括：

將ONU發(fā)送的光信號強(qiáng)度固定，通過不斷調(diào)節(jié)BEN脈沖信號和RST脈沖信號的脈沖寬度和/或相位位置，來調(diào)節(jié)響應(yīng)時間；每調(diào)節(jié)一次后，通過沿觸發(fā)或電平觸發(fā)計數(shù)判斷SD/LOS是否響應(yīng)；當(dāng)檢測至響應(yīng)與不響應(yīng)的臨界點(diǎn)時，確定SD/LOS的真實(shí)響應(yīng)時間。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，當(dāng)光功率小于第二預(yù)設(shè)閾值時，通過調(diào)節(jié)BEN脈沖信號和RST脈沖信號的脈沖寬度和/或相位位置，使得ONU處于常發(fā)光狀態(tài)，以便進(jìn)行SD/LOS的去響應(yīng)測試；

則所述控制芯片通過沿觸發(fā)或電平觸發(fā)計數(shù)后，如果發(fā)現(xiàn)SD/LOS不響應(yīng)，則證明SD/LOS的去響應(yīng)測試達(dá)標(biāo)，對應(yīng)的去響應(yīng)電平滿足要求；如果發(fā)現(xiàn)SD/LOS響應(yīng)，則證明SD/LOS的去響應(yīng)測試不達(dá)標(biāo)，對應(yīng)的去響應(yīng)電平不滿足要求。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLT光模塊突發(fā)SD/LOS檢測的方法，其特征在于，在SD/LOS的去響應(yīng)測試中，如果發(fā)現(xiàn)SD/LOS響應(yīng)，則所述方法還包括：

不斷調(diào)節(jié)ONU的光信號強(qiáng)度，每調(diào)節(jié)一次后，通過沿觸發(fā)或電平觸發(fā)計數(shù)判斷SD/LOS是否響應(yīng)；當(dāng)檢測至響應(yīng)與不響應(yīng)的臨界點(diǎn)，確定SD/LOS的真實(shí)去響應(yīng)電平。