[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201911119700.1
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN111933645A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 金鎮河
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

層疊結構，該層疊結構包括彼此交替層疊的導電層和絕緣層；以及

溝道層，該溝道層穿過所述層疊結構，

其中，所述溝道層是單層，所述單層包括第一GIDL區域、單元區域和第二GIDL區域，并且所述第一GIDL區域比所述單元區域和所述第二GIDL區域中的每個具有更大的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括在所述溝道層中的間隙填充絕緣層。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述間隙填充絕緣層的對應于所述第一GIDL區域的第一部分比所述間隙填充絕緣層的對應于所述單元區域的第二部分具有更小的寬度。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述間隙填充絕緣層的所述第一部分比所述間隙填充絕緣層的對應于所述第二GIDL區域的第三部分具有更小的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：

源極層；以及

位線，

其中，所述層疊結構位于所述源極層與所述位線之間，所述第一GIDL區域與所述源極層相鄰，并且所述第二GIDL區域與所述位線相鄰。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述單元區域位于所述第一GIDL區域和所述第二GIDL區域之間。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：導電焊盤，該導電焊盤被配置為將所述溝道層聯接到所述位線并且被配置為與所述溝道層的所述第二GIDL區域接觸。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一GIDL區域是在擦除操作期間生成GIDL電流的區域。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一GIDL區域和所述第二GIDL區域是在擦除操作期間生成GIDL電流的區域。

10.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

源極層；

位線；以及

溝道層，該溝道層聯接在所述源極層和所述位線之間，

其中，所述溝道層為單層，所述單層包括第一區域和第二區域，所述第一區域與所述源極層相鄰，所述第二區域與所述位線相鄰，并且所述第一區域的厚度大于所述第二區域的厚度。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第一區域是在擦除操作期間生成GIDL電流的區域。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括在所述溝道層中的間隙填充絕緣層。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述間隙填充絕緣層的對應于所述第一區域的部分的寬度小于所述間隙填充絕緣層的對應于所述第二區域的部分的寬度。

14.根據權利要求10所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括：導電焊盤，該導電焊盤被配置為將所述溝道層聯接到所述位線并且被配置為與所述溝道層的所述第二區域接觸。

15.一種制造半導體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

形成層疊結構；

形成穿過所述層疊結構的開口；

在所述開口中形成溝道層，所述溝道層包括第一GIDL區域、單元區域和第二GIDL區域；

在所述溝道層中形成犧牲層；以及

通過使用所述犧牲層作為蝕刻屏障來蝕刻所述溝道層的所述單元區域和所述第二GIDL區域。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述犧牲層覆蓋所述溝道層的所述第一GIDL區域，并且使所述溝道層的所述單元區域和所述第二GIDL區域露出。