[發明專利]檢測裝置在審
| 申請號: | 201911119256.3 | 申請日: | 2019-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN111198215A | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發明(設計)人: | 井上文裕;中根健智 | 申請(專利權)人: | 美蓓亞三美株式會社 |
| 主分類號: | G01N27/22 | 分類號: | G01N27/22 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 范勝杰;曹鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 | ||
本發明提供一種檢測裝置,其以實現小型化和功耗降低為目的。該檢測裝置具有:基板;參考電極,其設置于上述基板的上方;下部電極,其經由絕緣膜設置于上述參考電極的上方;以及上部電極,其經由物理量檢測膜設置于上述下部電極的上方,通過上述上部電極和上述下部電極構成平行平板型的檢測用電容器,通過上述下部電極和上述參考電極構成平行平板型的參考用電容器。
技術領域
本發明涉及濕度檢測裝置等檢測裝置。
背景技術
作為檢測裝置,例如濕度檢測裝置有將濕敏膜用作電介質的靜電電容式檢測裝置,其中,濕敏膜由介電常數根據吸收的水分量變化的高分子材料形成。在該靜電電容式的濕度檢測裝置中,在電極間配置濕敏膜,通過測定該電極間的靜電電容來求出濕度(相對濕度)(例如,參照專利文獻1)。
在專利文獻1所記載的濕度檢測裝置中,設有靜電電容根據濕度變化的傳感器部、不論濕度而保持固定的靜電電容的基準部(參考部),通過將兩者的電容差變換為電壓來測量濕度。將傳感器部和基準部并設于基板上。
作為在這樣的靜電電容式濕度檢測裝置中所使用的電路部,已知將從傳感器部輸出的電荷通過電荷放大器變換為電壓的結構(例如,參照專利文獻2)。該電路部中除了電荷放大器外,還設有通過矩形波的交流驅動信號驅動傳感器部的驅動電路等。
在專利文獻1所記載的濕度檢測裝置中,將傳感器部和基準部并設于基板上,因此存在基板面積較大、無法小型化的問題。
此外,傳感器部和基準部分別是具有上部電極和下部電極的平行平板構造的電容器,下部電極被一體化。該下部電極作為檢測上述電容差的電容檢測電極發揮功能。在專利文獻1中,將電容檢測電極配置于基板上,所以與基板間的寄生電容變大,放大器的驅動負載變大,因此存在功耗較大的問題。
專利文獻1:日本特許第5547296號
專利文獻2:日本特許第6228865號
發明內容
本發明的目的在于實現小型化和功耗降低。
公開的技術為一種檢測裝置,該檢測裝置具有:基板;參考電極,其設置于上述基板的上方;下部電極,其經由絕緣膜設置于上述參考電極的上方;以及上部電極,其經由物理量檢測膜設置于上述下部電極的上方,通過上述上部電極和上述下部電極構成平行平板型的檢測用電容器,通過上述下部電極和上述參考電極構成平行平板型的參考用電容器。
根據本發明,能夠實現小型化和功耗降低。
附圖說明
圖1是舉例表示本發明的一實施方式的濕度檢測裝置的概要結構的圖。
圖2是概要性地表示沿圖1中的A-A線的斷面的斷面圖。
圖3是去除了模制樹脂的狀態下的濕度檢測裝置的平面圖。
圖4是表示傳感器芯片的結構的概要平面圖。
圖5是舉例表示ESD保護電路的結構的電路圖。
圖6是舉例表示構成ESD保護電路的NMOS晶體管的層構造的圖。
圖7是舉例表示濕度檢測部的結構的電路圖。
圖8是舉例表示溫度檢測部的結構的電路圖。
圖9是用于說明傳感器芯片的元件構造的概要斷面圖。
圖10是舉例表示加熱部的平面形狀的概要平面圖。
圖11是舉例表示濕度檢測部的各電極的平面形狀的概要平面圖。
圖12是舉例表示第2配線層的布局圖案的平面圖。
圖13是表示沿圖12的A-A線的斷面構造的概要斷面圖。
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