[發(fā)明專利]檢測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911119256.3 | 申請日： | 2019-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN111198215A | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 井上文裕;中根健智 | 申請（專利權）人： | 美蓓亞三美株式會社 |
| 主分類號： | G01N27/22 | 分類號： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243 | 代理人： | 范勝杰;曹鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 裝置 | ||
1.一種檢測裝置，其特征在于，具有：
基板；
參考電極，其設置于上述基板的上方；
下部電極，其經(jīng)由絕緣膜設置于上述參考電極的上方；以及
上部電極，其經(jīng)由物理量檢測膜設置于上述下部電極的上方，
通過上述上部電極和上述下部電極構成平行平板型的檢測用電容器，通過上述下部電極和上述參考電極構成平行平板型的參考用電容器。
2.根據(jù)權利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，
在上述下部電極的周圍配置有屏蔽層。
3.根據(jù)權利要求2所述的檢測裝置，其特征在于，
將上述屏蔽層分割為2個以上。
4.根據(jù)權利要求3所述的檢測裝置，其特征在于，
上述屏蔽層具有包圍上述下部電極的周圍的一部分的第1屏蔽層以及包圍上述下部電極的周圍的其他部分的第2屏蔽層，
向上述第1屏蔽層和上述第2屏蔽層施加相位相反的驅(qū)動信號。
5.根據(jù)權利要求2所述的檢測裝置，其特征在于，
上述屏蔽層覆蓋上述參考電極、上述下部電極以及與上述上部電極連接的各信號線。
6.根據(jù)權利要求5所述的檢測裝置，其特征在于，
上述各信號線上連接有靜電放電保護電路。
7.根據(jù)權利要求6所述的檢測裝置，其特征在于，
上述基板是半導體基板，
上述靜電放電保護電路由MOS晶體管構成。
8.根據(jù)權利要求3至7中任一項所述的檢測裝置，其特征在于，
上述屏蔽層是通過與上述下部電極相同的制造工序形成的配線層。
9.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的檢測裝置，其特征在于，
上述檢測裝置具有：
驅(qū)動部，其向上述上部電極施加交流的第1驅(qū)動信號，向上述參考電極施加與上述第1驅(qū)動信號相位相反的交流的第2驅(qū)動信號；以及
電荷電壓變換部，其將從上述下部電極輸出的電荷變換為電壓。
10.根據(jù)權利要求9所述的檢測裝置，其特征在于，
上述檢測裝置具有：
第1半導體芯片，其包含上述檢測用電容器和上述參考用電容器；以及
第2半導體芯片，其包含上述驅(qū)動部和上述電荷電壓變換部。
11.根據(jù)權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，
將上述第1半導體芯片層壓于上述第2半導體芯片上。
12.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的檢測裝置，其特征在于，
上述物理量檢測膜為濕敏膜。
13.根據(jù)權利要求12所述的檢測裝置，其特征在于，
上述濕敏膜由聚酰亞胺形成。
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