[發(fā)明專利]形成可灰化硬遮罩的方法及圖案化方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911118800.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN112701032A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方偉權(quán)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/311
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;董云海

1.一種形成可灰化硬遮罩的方法，其特征在于，包含：

(i)提供標(biāo)的層；

(ii)在所述標(biāo)的層上沉積初始硬遮罩層；以及

(iii)在400至700℃的植入溫度下，將多個(gè)碳原子植入所述初始硬遮罩層以形成可灰化硬遮罩，其中所述可灰化硬遮罩中的植入劑量濃度為10¹⁴至10¹⁶ion/cm²。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(ii)之前，還包含刷洗所述標(biāo)的層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(ii)之后及步驟(iii)之前，還包含在所述初始硬遮罩層上執(zhí)行斜邊蝕刻。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，執(zhí)行步驟(iii)的植入劑量能量為10至50keV。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述植入溫度為500至600℃。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(ii)包括暴露所述標(biāo)的層于前驅(qū)物氣體，所述前驅(qū)物氣體包含C_xH_y基底氣體。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述前驅(qū)物氣體包含C₃H₆。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始硬遮罩層包含碳基材料。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)的層包含氮化物或氧化物。

10.一種圖案化方法，其特征在于，包含：

(i)在基板上形成標(biāo)的層；

(ii)在所述標(biāo)的層上形成初始硬遮罩層；

(iii)在400至700℃的植入溫度下，將多個(gè)碳原子植入所述初始硬遮罩層以形成可灰化硬遮罩，其中所述可灰化硬遮罩中的植入劑量濃度為10¹⁴至10¹⁶ion/cm²；

(iv)對(duì)所述可灰化硬遮罩進(jìn)行圖案化以形成圖案化可灰化硬遮罩，所述圖案化可灰化硬遮罩暴露出所述標(biāo)的層的一部分；

(v)蝕刻所述標(biāo)的層的所述暴露部分，其中使用所述圖案化可灰化硬遮罩作為遮罩；以及

(vi)對(duì)所述圖案化可灰化硬遮罩進(jìn)行灰化。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述初始硬遮罩層之前，步驟(i)包含刷洗所述標(biāo)的層。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在步驟(ii)之后及步驟(iii)之前，還包含在所述初始硬遮罩層上執(zhí)行斜邊蝕刻。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，執(zhí)行步驟(iii)的植入劑量能量為10至50keV。

14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述植入溫度為500至600℃。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述初始硬遮罩層包含碳基材料。

16.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)的層包含氮化物或氧化物。