[發(fā)明專利]離子注入方法和設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911116803.2
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN111326407B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔鐘武;金成基
• 申請（專利權(quán)）人: 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

本發(fā)明提供一種離子注入方法和設(shè)備。所述方法包括：將襯底放置在卡盤上；分析所襯底板以確定襯底的旋轉(zhuǎn)位移；將離子注入到所述襯底中；以及當(dāng)所述旋轉(zhuǎn)位移基本為零時，將所述襯底旋轉(zhuǎn)X次，并且每次以N度角旋轉(zhuǎn)襯底；當(dāng)旋轉(zhuǎn)位移大于零時，將襯底旋轉(zhuǎn)Y次并每次以M度角旋轉(zhuǎn)襯底。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明公開的總體上涉及離子注入方法和設(shè)備，更具體地，涉及用于旋轉(zhuǎn)襯底以消除替代工藝的離子注入方法和設(shè)備。

本申請要求于2018年12月14日提交的美國臨時專利申請?zhí)?2779520的優(yōu)先權(quán)，其通過引用合并于此，并成為說明書的一部分。

背景技術(shù)

為了提供彼此獨(dú)立的類比場效應(yīng)晶體管（FET）和數(shù)位FET替換分布區(qū)，通常應(yīng)要在選擇性地先后覆蓋（通常用光致對準(zhǔn)劑）單個裝置（例如，類比FET）然后進(jìn)行第二組裝置（例如數(shù)字FET）的離子注入（源極/汲極邊緣的局部替換），然后去除覆蓋摻雜劑，再選擇性地覆蓋第二組設(shè)備（例如數(shù)字FET）替代第一組設(shè)備進(jìn)行執(zhí)行離子注入。這是一個昂貴且耗時的過程。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種離子注入方法和設(shè)備，以解決上述技術(shù)問題。

一種離子注入方法，其特征在于，包括：將襯底放置在卡盤上；分析所襯底板以確定襯底的旋轉(zhuǎn)位移；將離子注入到所述襯底中；以及當(dāng)所述旋轉(zhuǎn)位移基本為零時，將所述襯底旋轉(zhuǎn)X次，并且每次以N度角旋轉(zhuǎn)襯底；當(dāng)旋轉(zhuǎn)位移大于零時，將襯底旋轉(zhuǎn)Y次并每次以M度角旋轉(zhuǎn)襯底。

一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底的頂面上形成多個溝槽；在所述襯底上進(jìn)行表面處理工藝，所述表面處理工藝包括：在所述襯底的溝槽的暴露表面上形成非晶襯層；減少所述非晶襯層的厚度；和將所述非晶襯里層至少部分地轉(zhuǎn)變成電介質(zhì)襯墊層；以及在所述電介質(zhì)襯墊層上設(shè)置導(dǎo)電材料以填充所述溝槽。一種用于在具有第一晶體管和從所述第一晶體管正交布置的第二晶體管的襯底上注入離子的設(shè)備，其特征在于，包括：離子源；面對所述離子源設(shè)置的卡盤，所述卡盤具有用于設(shè)置襯底的板以及與該板的中心部分連接的軸；面對所述襯底設(shè)置并用以輸出襯底的旋轉(zhuǎn)位移的分析儀；和機(jī)械地耦合到所述卡盤的軸以使所述襯底旋轉(zhuǎn)的步進(jìn)電機(jī)，其中，當(dāng)旋轉(zhuǎn)位移基本為零時，所述步進(jìn)馬達(dá)完成完整旋轉(zhuǎn)行程的步驟為X；而當(dāng)旋轉(zhuǎn)位移大于零時，所述步進(jìn)馬達(dá)完成完整旋轉(zhuǎn)行程的步驟為Y。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1所示的根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的離子注入設(shè)備；

圖2示出了根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的注入方法的流程圖；

圖3示出了根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的襯底的俯視圖；

圖4示出了根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的襯底的截面圖。

然而，要注意的是，隨附圖式僅說明本案之示范性實(shí)施態(tài)樣并因此不被視為限制本案的范圍，因?yàn)楸景缚沙姓J(rèn)其他等效實(shí)施態(tài)樣。

主要元件符號說明

襯底 100

第一晶體管 101

第二晶體管 102

離子源 200

卡盤板 301

卡盤軸 302

分析器 400

步進(jìn)電動機(jī) 500