[發明專利]離子注入方法和設備

有效

• 申請號: 201911116803.2
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN111326407B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 崔鐘武;金成基
• 申請（專利權）人: 夏泰鑫半導體（青島）有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

1.一種離子注入方法，其特征在于，包括：

將襯底放置在卡盤上；

分析所述襯底以確定其旋轉位移，所述旋轉位移定義所述襯底在所述卡盤上的放置位置；

將離子注入到所述襯底中；以及

當所述旋轉位移為零時，代表所述襯底被完美地放置在所述卡盤上，將所述襯底旋轉X次以完成完整旋轉行程，并且每次以N度角旋轉襯底；

當所述旋轉位移大于零時，代表所述襯底相對于離子源沒有被精確對準地放置在所述卡盤上，將襯底旋轉Y次以完成所述完整旋轉行程，并每次以M度角旋轉襯底，X和Y為自然數且Y大于X。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述襯底具有第一晶體管和相對于所述第一晶體管正交布置的第二晶體管。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中，將所述襯底旋轉X次是將所述襯底旋轉四次，且每次將所述襯底旋轉成N度角是每次將所述襯底旋轉90度。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中，將所述襯底旋轉Y次是將所述襯底旋轉八次，且將所述襯底以M度角旋轉是每次將所述襯底旋轉45度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述離子用于延伸注入。

6. 根據權利要求5所述的方法，其特征在于，其中，所述離子包括氟化硼（BF2）和砷離子（As +）中的至少一種。

7. 根據權利要求5所述的方法，其特征在于，其中用于所述離子的劑量濃度為1E13/cm^2到5E14/ cm^2的范圍內。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，其中，用于注入離子的功率在2KeV至10KeV的范圍內。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述離子的傾斜角在0°至10°的范圍內。

10.一種用于在具有第一晶體管和與所述第一晶體管正交布置的第二晶體管的襯底上注入離子的設備，其特征在于，包括：

離子源；

面對所述離子源設置的卡盤，所述卡盤具有用于設置襯底的板以及與該板的中心部分連接的軸；

面對所述襯底設置并用以輸出襯底的旋轉位移的分析儀，所述旋轉位移定義所述襯底在所述卡盤上的放置位置；和

機械地耦合到所述卡盤的軸以使所述襯底旋轉的步進電機，其中，

當旋轉位移為零時，代表所述襯底被完美地放置在所述卡盤上，所述步進電機完成完整旋轉行程的步驟為X；

而當旋轉位移大于零時，代表所述襯底相對于離子源沒有被精確對準地放置在所述卡盤上，所述步進電機完成完整旋轉行程的步驟為Y，X和Y為自然數且Y大于X。