[發(fā)明專利]一種MOSFET的測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911116747.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110824326A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳輝;包智杰;張秀晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京宏泰半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙) 11265
• 代理人: 石磊

1.一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，包括如下步驟：

基極、集電極和發(fā)射極接到矩陣盒的外圍接線不變，并通過(guò)Matrix項(xiàng)調(diào)整各引腳所需的源；

調(diào)整Matrix通道，正常測(cè)試第一柵極與第一源極，第二柵極與第二源極之間的功能；

將第一源極設(shè)為零電位，將第二源極當(dāng)作第一漏極，設(shè)置電氣參數(shù)條件并利用測(cè)試臺(tái)對(duì)芯片進(jìn)行功能參數(shù)測(cè)試并得到結(jié)果。

2.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述矩陣盒的作用是對(duì)Matrix程序項(xiàng)進(jìn)行芯片功能參數(shù)測(cè)試的調(diào)試。

3.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，MOSFET的引腳包括柵極、漏極、源極。

4.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述柵極、和源極在測(cè)試時(shí)有具體的電氣參數(shù)條件。

5.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試機(jī)的引腳包括基極、集電極、發(fā)射極。

6.如權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述外圍接線是指所述柵極對(duì)應(yīng)所述基極，所述漏極對(duì)應(yīng)所述集電極，所述源極對(duì)應(yīng)所述發(fā)射極。

7.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，本方法測(cè)量范圍包括測(cè)量漏極引腳未封出的雙MOSFET芯片和正常的MOSFET芯片。

8.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述外圍接線不變是指測(cè)試機(jī)的電極接到矩陣盒的3轉(zhuǎn)8通道外圍接線不變。

9.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述將第一源極設(shè)為零電位是指將第一源極設(shè)為集電極通道并開(kāi)啟接地繼電器。

10.如權(quán)利要求1所述的一種MOSFET測(cè)試方法，其特征在于，所述功能參數(shù)測(cè)試是指使用BNC線在測(cè)試臺(tái)和矩陣盒之間連接進(jìn)行測(cè)試。