[發(fā)明專利]用于晶片處理的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911114617.5 | 申請日: | 2016-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN110767591B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | T·費舍爾;G·拉克納;M·勒徹;W·H·萊吉布 | 申請(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 張昊 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 晶片 處理 方法 裝置 | ||
1.一種用于處理晶片的方法,所述方法包括:
在接收器上提供所述晶片,其中所述接收器包括輪緣,并且其中所述輪緣朝向?qū)⒈唤邮盏乃鼍由欤?/p>
由光端口在所述晶片的邊緣處照射光,其中所述光端口位于所述接收器的表面中,并且其中所述光端口包含光源;以及
接收在所述晶片的邊緣和所述輪緣之間經(jīng)過的所述光,以基于所接收的光形成檢測信號,
其中所述光端口位于所述晶片下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:基于所述檢測信號,控制所述晶片相對于所述接收器的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
基于所述檢測信號,生成表示所述晶片在所述接收器上的位置的位置信息;以及
使用所述位置信息來控制處理工具的對準。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:改變所述光的波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
將所述晶片提升到所述接收器上方;以及
從所述晶片下方照射所述光。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述接收器是板,并且其中提供所述晶片包括在所述板上定位所述晶片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述板在被配置為接收光源的外圍凹部上方延伸,并且其中執(zhí)行在所述板上定位所述晶片,使得所述晶片的邊緣延伸到所述板外。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述板的表面設(shè)置有凹部,所述凹部包括光源,并且其中執(zhí)行在所述板上定位所述晶片,使得所述晶片的邊緣在所述凹部的一部分之上延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:彼此相對地移動所述晶片和光敏元件的空間視場。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,還包括:移動所述晶片,同時保持所述光敏元件的空間視場固定。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中所述晶片具有除所述晶片的一部分之外的圓形,其中所述晶片的邊緣退回到由所述圓形限定的圓內(nèi),并且其中所述方法還包括:基于位置信息對準所述晶片并切割所述晶片。
12.一種用于處理晶片的裝置,所述裝置包括:
接收器,被配置為接收所述晶片,其中所述接收器包括輪緣,并且其中所述輪緣朝向?qū)⒈唤邮盏乃鼍由欤?/p>
光端口,被配置為發(fā)射來自光源的光,以將所述光照射到所述晶片的邊緣上,其中所述光端口位于所述接收器的表面中,并且其中所述光端口包含所述光源;以及
光敏元件,被配置為接收在所述晶片的邊緣和所述輪緣之間經(jīng)過的所述光并且基于所接收的光形成檢測信號,
其中所述光端口位于所述晶片下方。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,還包括控制單元,所述控制單元被配置為基于所述檢測信號獲取表示所述晶片相對于所述接收器的位置的位置信息。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置,還包括驅(qū)動單元,所述驅(qū)動單元被配置為移動所述接收器,同時保持檢測器的空間視場固定,并且其中所述控制單元被配置為控制所述驅(qū)動單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述光端口位于所述接收器的表面中并且被配置為包括所述光源。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述接收器是板,并且其中通過由所述板的表面的徑向延伸形成的外圍凹部來提供所述光端口。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述光端口包括發(fā)光二極管作為操作用于照射所述光的光源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





