[發明專利]一種邊緣拋光系統、邊緣拋光方法及晶圓

在審

• 申請號: 201911114004.1
• 申請日: 2019-11-14
• 公開（公告）號: CN110842754A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 崔世勛
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/11;H01L21/67;H01L21/304
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發明涉及一種邊緣拋光系統、邊緣拋光方法及晶圓，該邊緣拋光系統用于研磨硅片凹槽，該邊緣拋光系統包括：至少兩個邊緣拋光單元，其中，每個邊緣拋光單元中均設置有拋光墊，且所有拋光墊研磨邊緣的錐角角度均不相同以用于對所述硅片凹槽中的不同區域進行研磨。本發明將拋光系統中的拋光墊的規格進行細分，采用多個研磨邊緣錐角角度不同的拋光墊對硅片凹槽中的不同區域進行多個階段的研磨，可以均等分配拋光墊與硅片凹槽的之間的接觸面積，避免采用單一研磨工具導致微研磨或者過研磨等研磨不良現象的發生，從而減少了硅片凹槽的返工率，提高了設備產能，降低了制造費用。

技術領域

本發明屬于硅片加工制造領域，具體涉及一種邊緣拋光系統、邊緣拋光方法及晶圓。

背景技術

邊緣拋光是影響半導體晶片邊緣重要的工藝步驟，邊緣拋光工藝是指使用拋光墊與漿料對半導體晶片進行旋轉加壓進行邊緣鏡面研磨的工藝。其目的是減少因外部沖擊而導致發生裂紋，經過邊緣拋光的硅片表面具有更高的強度。

通常，在硅片邊緣拋光工藝中，首先將硅片盒裝載到裝載部，之后每片硅片通過機械臂進行依次移動；當硅片凹槽對位后，采用凹槽拋光墊對凹槽進行研磨拋光；凹槽拋光后，對硅片的圓邊進行拋光；最后，將經過凹槽拋光和圓邊拋光的硅片轉移到卸料盒中。在凹槽拋光過程中，漿料會以自由落體方式滴在旋轉的凹槽拋光墊與上/下移動的硅片凹槽表面之間，凹槽拋光墊粘貼在滾筒旋轉軸中心進行旋轉，硅片邊緣夾頭抓取硅片以一定角度上/下移動，凹槽拋光墊與硅片凹槽之間相互摩擦，以此方式進行研磨。

因邊緣拋光工藝是研磨圓面而不是平面，從其結構特性上看，很難從所有方向上進行均一研磨，尤其是凹槽附近接觸面積不均一，而采用單一拋光墊的研磨接觸區域也比較單一，會在硅片凹槽區域中形成過研磨(High contact)區域103或者微研磨(lowcontact)區域104，如圖1所示，圖1為現有技術提供的一種拋光墊101研磨硅片102的凹槽的示意圖，微研磨會產生邊緣不良以及顆粒現象，過研磨會使凹槽無法滿足硅片規格，這些研磨不良現象使得硅片需進行邊緣再加工，進而降低設備產能，增加制造費用。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提供了一種邊緣拋光系統、邊緣拋光方法及晶圓。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

本發明實施例提供了一種邊緣拋光系統，用于研磨硅片凹槽，所述邊緣拋光系統包括：

至少兩個邊緣拋光單元，其中，每個邊緣拋光單元中均設置有拋光墊，且至少兩個拋光墊研磨邊緣的錐角角度不相同以用于對所述硅片凹槽中的不同區域進行研磨。

在本發明的一個實施例中，所述拋光墊研磨邊緣的錐角角度為85°～120°。

在本發明的一個實施例中，所述拋光墊的厚度為1.5mm～5.0mm。

本發明的另一個實施例還提供了一種邊緣拋光系統，用于研磨硅片凹槽，所述邊緣拋光系統包括第一邊緣拋光單元和第二邊緣拋光單元，其中，

所述第一邊緣拋光單元中設置有第一拋光墊，所述第一拋光墊用于對所述硅片凹槽中的第一區域進行研磨；

所述第二邊緣拋光單元中設置有第二拋光墊，第二拋光墊研磨邊緣的錐角角度與第一拋光墊研磨邊緣的錐角角度不同以用于對所述硅片凹槽中的第二區域進行研磨。

在本發明的一個實施例中，所述第一拋光墊研磨邊緣的錐角角度為85°～95°。

在本發明的一個實施例中，所述第一拋光墊的厚度為1.5mm～2.5mm。

在本發明的一個實施例中，所述第二拋光墊研磨邊緣的錐角角度為110°～120°。

在本發明的一個實施例中，所述第二拋光墊的厚度為4.0mm～5.0mm。