[發(fā)明專利]一種邊緣拋光系統(tǒng)、邊緣拋光方法及晶圓在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911114004.1 | 申請日： | 2019-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN110842754A | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔世勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/00 | 分類號： | B24B37/00;B24B37/11;H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 邊緣 拋光 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，用于研磨硅片凹槽，所述邊緣拋光系統(tǒng)包括：
至少兩個邊緣拋光單元，其中，每個邊緣拋光單元中均設(shè)置有一拋光墊，且至少兩個拋光墊研磨邊緣的錐角角度不相同以用于對所述硅片凹槽中的不同區(qū)域進(jìn)行研磨。
2.如權(quán)利要求1所述的邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，所述拋光墊研磨邊緣的錐角角度為85°～120°。
3.如權(quán)利要求1所述的邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，所述拋光墊的厚度為1.5mm～5.0mm。
4.一種邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，用于研磨硅片凹槽，所述邊緣拋光系統(tǒng)包括第一邊緣拋光單元和第二邊緣拋光單元，其中，
所述第一邊緣拋光單元中設(shè)置有第一拋光墊，所述第一拋光墊用于對所述硅片凹槽中的第一區(qū)域進(jìn)行研磨；
所述第二邊緣拋光單元中設(shè)置有第二拋光墊，第二拋光墊研磨邊緣的錐角角度與第一拋光墊研磨邊緣的錐角角度不同以用于對所述硅片凹槽中的第二區(qū)域進(jìn)行研磨。
5.如權(quán)利要求4所述的邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，所述第一拋光墊研磨邊緣的錐角角度為85°～95°。
6.如權(quán)利要求5所述的邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，所述第一拋光墊的厚度為1.5mm～2.5mm。
7.如權(quán)利要求4所述的邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，所述第二拋光墊研磨邊緣的錐角角度為110°～120°。
8.如權(quán)利要求7所述的邊緣拋光系統(tǒng)，其特征在于，所述第二拋光墊的厚度為4.0mm～5.0mm。
9.一種邊緣拋光方法，其特征在于，使用如權(quán)利要求1～8任一項所述的邊緣拋光系統(tǒng)對硅片凹槽進(jìn)行拋光，包括步驟：
從至少兩個邊緣拋光單元中選取一邊緣拋光單元對所述硅片凹槽中的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行研磨，隨后使用與前述邊緣拋光單元的參數(shù)不同的另一邊緣拋光單元對所述硅片凹槽中的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行研磨。
10.一種晶圓，其特征在于，由如權(quán)利要求9中所述的邊緣拋光方法制得。
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