[發明專利]半導體裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201911113487.3
• 申請日: 2019-11-14
• 公開（公告）號: CN111220887A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 李貞九;金大漢;金智允;李真燁
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種半導體裝置，包括：

測試電路，其包括：

測試晶體管，其用于使用應力電壓來測試時間相關的介電擊穿特性；

輸入開關，其位于被施加了所述應力電壓的電壓施加節點與電連接到所述測試晶體管的輸入節點之間；以及

保護開關，其位于所述輸入節點與接地節點之間。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述輸入開關包括被輸入開關使能信號門控的第一晶體管，

所述保護開關包括被保護開關使能信號門控的第二晶體管，并且

所述保護開關使能信號是所述輸入開關使能信號的反相信號。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述輸入開關包括第一柵極氧化物層，所述第一柵極氧化物層比所述測試晶體管的第二柵極氧化物層厚。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述保護開關包括第一柵極氧化物層，所述第一柵極氧化物層比所述測試晶體管的第二柵極氧化物層厚。

5.如權利要求2所述的半導體裝置，還包括：

控制電路，其位于所述測試電路外部的外圍區域中，所述控制電路被配置為提供所述輸入開關使能信號和所述保護開關使能信號。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

電壓發生器電路，其被配置為將所述應力電壓施加到所述電壓施加節點，其中，所述測試電路還包括設置在所述電壓發生器電路與所述電壓施加節點之間的第一開關。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述第一開關包括晶體管，該晶體管包括第一柵極氧化物層，所述第一柵極氧化物層比所述測試晶體管的第二柵極氧化物層厚。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

芯片焊盤，其被配置為將從外部源接收到的用戶應力電壓施加到所述電壓施加節點，其中，所述測試電路還包括位于所述芯片焊盤與所述電壓施加節點之間的第二開關。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第二開關包括晶體管，該晶體管包括第一柵極氧化物層，所述第一柵極氧化物層比所述測試晶體管的第二柵極氧化物層厚。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

主電路，其被設置在裸片上，其中，所述測試電路被設置在所述裸片上并且與所述主電路電隔離。

11.一種半導體裝置，包括：

測試電路，其包括：

測試晶體管，其用于使用應力電壓來測試時間相關的介電擊穿特性，以及

輸入開關，其位于被施加了所述應力電壓的電壓施加節點與電連接到所述測試晶體管的輸入節點之間；以及

主電路，其鄰近所述測試電路并且與所述測試電路電隔離。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述輸入開關包括被輸入開關使能信號門控的第一晶體管。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述輸入開關包括第一柵極氧化物層，所述第一柵極氧化物層比所述測試晶體管的第二柵極氧化物層厚。

14.如權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述測試電路進一步包括位于所述輸入節點與接地節點之間的保護開關。

15.如權利要求14所述的半導體裝置，其中，所述保護開關包括被保護開關使能信號門控的第二晶體管，并且所述保護開關使能信號是所述輸入開關使能信號的反相信號。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，所述保護開關包括第一柵極氧化物層，所述第一柵極氧化物層比所述測試晶體管的第二柵極氧化物層厚。