[發明專利]掩模板及掩模板的制造方法在審
| 申請號: | 201911111123.1 | 申請日: | 2019-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN111308854A | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發明(設計)人: | 孫朝寧 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/50 | 分類號: | G03F1/50 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模板 制造 方法 | ||
本發明實施例公開了一種掩模板及掩模板的制造方法,該掩模板包括透光區,至少部分透光區內設有透光層,該透光層內設有金屬有機框架聚合物。其中,金屬有機框架聚合物的金屬離子和有機橋配體之間存在電荷轉移,通過調控金屬元素和有機配體種類能夠優化材料發光性能。因此,通過在透光區的一部分區域內設置金屬有機框架聚合物,并調節透光區不同位置的有機框架聚合物中的金屬離子及有機配體的種類,以精確控制不同區域的透過光單一波長和強度,提高掩模板的各透光區的曝光精度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種掩模板及掩模板的制造方法。
背景技術
目前4次光刻技術(4Mask)已普遍應用于薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystal Display,TFT-LCD)的制備之中,其工藝過程為在制備好柵極層圖案的基板上依次沉積柵絕緣層、有緣層、歐姆接觸層和源漏極金屬層后,利用一道半色調掩模板(Half tone Mask),通過一次曝光顯影,在光阻層形成兩種不同的光阻膜厚,然后在刻蝕工藝中分兩次干/濕刻蝕,形成不同圖案。
但是,現有的用于形成光阻層的半色調掩掩模板的曝光精度較低,容易導致通過半色調掩掩模板在陣列基板上形成的光阻層出現較大的誤差。
發明內容
本發明實施例提供一種掩模板及掩模板的制造方法,旨在提高掩模板的曝光精度。
為解決上述問題,第一方面,本發明提供一種掩模板,所述掩膜板包括透光區,至少部分所述透光區內設有透光層,所述透光層內設有金屬有機框架聚合物。
在本發明的一些實施例中,所述透光區包括用于在陣列基板上形成光阻層的透光孔,所述透光層對應所述透光孔設置,所述透光層內金屬有機框架聚合物的密度沿所述透光孔的中部至兩端的方向逐漸增高。
在本發明的一些實施例中,所述透光區包括用于在陣列基板上形成光阻層的透光孔,所述透光層對應所述透光孔設置;所述透光層的厚度沿所述透光孔的中部至兩端的方向逐漸增高。
在本發明的一些實施例中,所述透光層的厚度大于或等于0.01mm,且小于或等于0.2mm。
在本發明的一些實施例中,所述金屬有機框架聚合物的總體積與所述透光層的體積的比值大于或等于10%,且小于或等于80%。
在本發明的一些實施例中,所述金屬有機框架聚合物中的金屬元素包括過渡金屬、主族金屬和稀土金屬中的一種或多種。
在本發明的一些實施例中,所述透光層的材質包括玻璃、聚氨酯樹脂或乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物。
在本發明的一些實施例中,所述掩膜板包括透明基板,及設于所述透明基板側面的遮光層,所述透明基板的未被遮光層覆蓋的區域形成所述透光區。
第二方面,本發明還提供一種掩模板的制造方法,所述方法包括:
提供透明基板;
在所述透明基板上設置遮光層,以在所述透明基板未被所述遮光層覆蓋的區域形成透光區;
在至少部分所述透光區內設置透光層,所述透光層內設有金屬有機框架聚合物。
在本發明的一些實施例中,所述透光區包括用于在陣列基板上形成光阻層的透光孔,所述透光層對應所述透光孔設置,所述掩模板的制造方法還包括:
將所述透光層背離所述透明基板一側的部分材料去除,以使透光層的厚度由中部至兩端逐漸增加。
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G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
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