[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201911105356.0
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN111180420A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 吳東俊;李碩浩;姜周錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張紅;劉美華

本公開提供一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：半導體芯片，具有其上設置有連接墊的有效表面以及與有效表面相對的無效表面；第一包封劑，覆蓋半導體芯片的無效表面和側表面的至少一部分；連接結構，具有順序地設置在半導體芯片的有效表面上的第一區域和第二區域并包括重新分布層，重新分布層電連接到半導體芯片的連接墊并包括接地圖案層；以及金屬層，設置在第一包封劑的上表面上，并從第一包封劑的上表面延伸到連接結構的第一區域的側表面。連接結構的第一區域具有第一寬度，并且第二區域具有小于第一寬度的第二寬度。

本申請要求于2018年11月13日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0139087號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體封裝件，例如，涉及一種扇出型半導體封裝件。

背景技術

隨著電子裝置變得更小并且其性能變得更高，組件之間的距離變得更近并且操作速度大大增加。結果，由于組件之間的電磁波干擾導致的裝置故障的問題一直是個問題。最近，對電磁屏蔽技術的興趣不斷增長。在智能手機的情況下，電磁屏蔽技術僅應用于一些芯片(諸如初始通信芯片)，然而，最近，電磁屏蔽技術的應用已經擴展到AP、RF芯片等。

主要使用金屬罐結構或諸如濺射的沉積方法作為電磁波屏蔽技術。當使用諸如濺射的沉積方法時，由于在分割半導體封裝件之后根據EMI屏蔽層的形成，甚至在封裝件的下表面上形成濺射層，因此會出現諸如外觀缺陷、焊料球、電短路等的缺陷，并且EMI屏蔽特性會劣化。

發明內容

本公開的一方面在于提供一種顯著減少缺陷發生并改善屏蔽性能的半導體封裝件。

根據本公開的一個方面，在半導體封裝件中，連接結構以多級的形式形成，并且EMI屏蔽層形成為不延伸到下端部。

例如，一種半導體封裝件可包括：半導體芯片，具有其上設置有連接墊的有效表面以及與有效表面相對的無效表面；第一包封劑，覆蓋半導體芯片的無效表面和側表面中的每個的至少一部分；連接結構，具有順序地設置在半導體芯片的有效表面上的第一區域和第二區域并包括重新分布層，重新分布層電連接到半導體芯片的連接墊并包括接地圖案層；以及金屬層，設置在第一包封劑的上表面上，并從第一包封劑的上表面延伸到連接結構的第一區域的側表面。連接結構的第一區域具有第一寬度，并且第二區域具有小于第一寬度的第二寬度。

另外，一種半導體封裝件包括：半導體芯片，具有其上設置有連接墊的有效表面以及與有效表面相對的無效表面；包封劑，覆蓋半導體芯片的無效表面和側表面中的每個的至少一部分；連接結構，具有順序地設置在半導體芯片的有效表面上并具有不同寬度的第一區域和第二區域并且包括重新分布層，重新分布層電連接到半導體芯片的連接墊并包括接地圖案層；以及金屬層，設置在包封劑的上表面上，并且從包封劑的上表面延伸到連接結構的第一區域的側表面，并且連接到位于第一區域中的接地圖案層。

附圖說明

通過下面結合附圖進行的詳細描述，本公開的以上和其他方面、特征和優點將被更加清楚地理解，在附圖中：

圖1是示出電子裝置系統的示例的示意性框圖；

圖2是示出電子裝置的示例的示意性透視圖；

圖3A和圖3B是示出扇入型半導體封裝件在被封裝之前和被封裝之后的狀態的示意性剖視圖；

圖4是示出扇入型半導體封裝件的封裝工藝的示意性剖視圖；

圖5是示出扇入型半導體封裝件安裝在中介基板上并且最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性剖視圖；

圖6是示出扇入型半導體封裝件嵌入中介基板中并且最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性剖視圖；

圖7是示出扇出型半導體封裝件的示意性剖視圖；