[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 201911105356.0
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN111180420A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 吳東俊;李碩浩;姜周錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張紅;劉美華

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

半導體芯片，具有其上設置有連接墊的有效表面以及與所述有效表面相對的無效表面；

第一包封劑，覆蓋所述半導體芯片的所述無效表面和側表面中的每個的至少一部分；

連接結構，具有順序地設置在所述半導體芯片的所述有效表面上的第一區域和第二區域并包括重新分布層，所述重新分布層電連接到所述半導體芯片的所述連接墊并包括接地圖案層；以及

金屬層，設置在所述第一包封劑的上表面上，并從所述第一包封劑的所述上表面延伸到所述連接結構的所述第一區域的側表面，

其中，所述連接結構的所述第一區域具有第一寬度，并且所述第二區域具有小于所述第一寬度的第二寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件包括臺階，所述臺階形成在所述連接結構的所述第一區域和所述第二區域之間的邊界處。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述連接結構的所述接地圖案層設置在所述第一區域中，并且連接到所述金屬層。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述連接結構的所述第二區域具有傾斜的側表面，以遠離所述第一區域而變窄。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一包封劑和所述連接結構的所述第一區域中的每個具有傾斜的側表面，所述傾斜的側表面朝向所述第二區域變寬。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述金屬層使所述連接結構的所述第二區域暴露。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述連接結構的所述第一區域和所述第二區域分別包括絕緣層，并且

所述第一區域的所述絕緣層覆蓋所述重新分布層。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，所述第一區域的所述絕緣層的一部分從所述連接結構的所述第一區域和所述第二區域之間的下表面暴露。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一區域和所述第二區域中的一個包括所述重新分布層，并且所述第一區域和所述第二區域中的另一個包括另外的重新分布層。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述連接結構的所述第二區域包括鈍化層，所述鈍化層具有使所述連接結構的最下面的重新分布層的部分暴露的開口。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括框架，所述框架設置在所述連接結構上，并且具有第一通孔，所述半導體芯片設置在所述第一通孔中。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，所述金屬層覆蓋所述框架的側表面，并且延伸到所述連接結構的所述第一區域。

13.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，所述框架還具有第二通孔，并且所述半導體封裝件還包括設置在所述第二通孔中的一個或更多個無源組件。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝件，其中，所述框架包括框架金屬層，所述框架金屬層至少設置在所述第二通孔的內側壁上，

其中，所述框架金屬層電連接到所述金屬層。

15.根據權利要求13所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括第二包封劑，所述第二包封劑覆蓋所述無源組件中的每個的上表面和側表面的至少一部分，并且

其中，所述第一包封劑覆蓋所述第二包封劑的上表面。