[發明專利]晶柱綜合檢測設備

在審

• 申請號: 201911103629.8
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN110823286A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 林火旺;劉立清;廖文民
• 申請（專利權）人: 東莞市慶穎智能自動化科技有限公司
• 主分類號: G01D21/02
• 分類號: G01D21/02;B23K26/362;B23K26/70
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 吳成開;徐勛夫

本發明公開一種晶柱綜合檢測設備，包括有機架、存放料架、上下料裝置、前升降裝置、后升降裝置、第一檢測裝置、第二檢測裝置、第三檢測裝置以及第四檢測裝置；該機架上由前往后依次具有第一檢測工站、第二檢測工站、第三檢測工站和第四檢測工站，且機架上設置有上輸送槽和下輸送槽，該上輸送槽中設置有上輸送機構，該下輸送槽位于上輸送槽的正下方，下輸送槽中設置有下輸送機構；通過配合利用各個裝置，使得本設備可對晶柱進行高度、內部瑕疵、平行度、垂直度和寬度、重量進行自動檢測，并根據檢測結果進行打標和分離，取代了傳統之依靠人工完成的方式，有效提高了檢測效率，并可保證檢測質量，為生產作業帶來了便利。

技術領域

本發明涉及半導體檢測領域技術，尤其是指一種晶柱綜合檢測設備。

背景技術

目前硅材料是電子工業中重要的半導體材料。硅是地球上最豐富的元素之一，占地殼的四分之一，以硅酸鹽和氧化物的形式存在，常見的砂和砂石都是二氧化硅，只是純度不同，以石英純度最高。制造半導體芯片的硅片首先要經過還原制成高純度的單質硅。作為半導體芯片材料，除了純度高以外，還需要長成均勻、完整、無缺陷的晶體。目前普遍采用以一小顆單晶硅生長出晶體。這一顆單晶硅就像一顆“種子”，周圍的硅原子會以和它一樣的排列順序在其周圍生長，生成純度高、均勻的晶體。生長出來的晶體通常為圓柱形，也稱為晶柱。晶柱生長出來后，需要把它切割成片狀并拋光，以制成硅晶片。

然而，晶柱在生成的過程中，由于各種因素，如參數的控制等，會使得各個晶柱的高度、重量、平行度和寬度等不一致，并且有些晶柱內部還會形成有瑕疵，因此，晶柱在生成后和出貨前均需要對其進行各項指標的檢測，以保證出貨產品的質量；目前，對晶柱各項指標的檢測主要依靠人工完成，效率低，并且檢測質量難以保證。因此，有必要研究一種方案以解決上述問題。

發明內容

有鑒于此，本發明針對現有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種晶柱綜合檢測設備，其可對晶柱的各項指標進行綜合檢測，并可保證檢測質量。

為實現上述目的，本發明采用如下之技術方案：

一種晶柱綜合檢測設備，包括有機架、存放料架、上下料裝置、前升降裝置、后升降裝置、第一檢測裝置、第二檢測裝置、第三檢測裝置以及第四檢測裝置；該機架上由前往后依次具有第一檢測工站、第二檢測工站、第三檢測工站和第四檢測工站，且機架上設置有上輸送槽和下輸送槽，該上輸送槽和下輸送槽均貫穿第一檢測工站、第二檢測工站、第三檢測工站和第四檢測工站，該上輸送槽中設置有上輸送機構，該下輸送槽位于上輸送槽的正下方，下輸送槽中設置有下輸送機構；該存放料架設置于機架的前側；該上下料裝置設置于機架上并位于存放料架的側旁；該前升降裝置設置于上輸送槽的輸入端和下輸送槽的輸出端之間；該后升降裝置設置于上輸出槽的輸出端和下輸送槽的輸入端之間；該第一檢測裝置設置于第一檢測工站內，第一檢測裝置包括有測距傳感器，該測距傳感器位于上輸送槽的正上方；該第二檢測裝置設置于第二檢測工站內，該第二檢測裝置包括有第一升降旋轉模塊、IR光源和取像模塊，該第一升降旋轉模塊位于上輸送槽的正下方，該IR光源和取像模塊分別位于上輸送槽的上方兩側；該第三檢測裝置設置于第三檢測工站內，該第三檢測裝置包括有第二升降旋轉模塊和兩組光電傳感器，該第二升降旋轉模塊位于上輸送槽的正下方，該兩組光電傳感器位于上輸送槽的上方兩側并彼此正對；該第四檢測裝置設置于第四檢測工站內，該第四檢測裝置包括有升降模塊、稱重傳感器和打標機構，該升降模塊位于上輸送槽的正下方，該稱重傳感器設置于升降模塊上，該打標機構位于上輸送槽的上方一側。

作為一種優選方案，所述存放料架為多層式存放料架，每一層上均設置有輸送裝置，且存放料架上具有升降機構，該升降機構位于上下料裝置的側旁。

作為一種優選方案，所述上下料裝置為多軸式機械手。

作為一種優選方案，所述上輸送槽的兩側內壁均設置有便于托盤輸送的滑輪，該上輸送機構為皮帶式輸送機構，且上輸送機構為沿上輸送槽延伸方向并排設置的多個。