[發(fā)明專利]銀薄膜蝕刻液組合物、蝕刻方法及金屬圖案的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911102927.5
• 申請(qǐng)日: 2019-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN111172542B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)五柄;李恩遠(yuǎn);趙現(xiàn)洙;金童基;南基龍;張晌勛;金相正;李原昊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東友精細(xì)化工有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/30
• 分類號(hào): C23F1/30;C23F1/02
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;宋海花

1.一種銀薄膜蝕刻液組合物，其包含：

(A)0.01～20重量％的銀蝕刻促進(jìn)劑、

(B)0.1～20重量％的無(wú)機(jī)酸、

(C)0.1～30重量％的硫酸氫鹽、和

(D)余量的水，

所述銀蝕刻促進(jìn)劑(A)包含鐵鹽，

所述鐵鹽不包含氯化合物，

所述硫酸氫鹽(C)包含選自硫酸氫鉀、硫酸氫鈉、硫酸氫銨中的一種以上，

所述銀薄膜由銀構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其進(jìn)一步包含(E)選自唑化合物、一個(gè)分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物、有機(jī)鹽和無(wú)機(jī)鹽中的一種以上化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，相對(duì)于組合物總重量，進(jìn)一步包含(E)選自唑化合物、一個(gè)分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物、有機(jī)鹽和無(wú)機(jī)鹽中的一種以上化合物0.1～20重量％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，所述鐵鹽包含選自由硝酸亞鐵、硝酸鐵、硫酸亞鐵和硫酸鐵組成的組中的一種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀薄膜蝕刻液組合物，所述無(wú)機(jī)酸(B)包含選自由硫酸和硝酸組成的組中的一種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀薄膜蝕刻液組合物，所述唑化合物包含選自由吡咯系、吡唑系、咪唑系、三唑系、四唑系、五唑系、唑系、異唑系、噻唑系和異噻唑系組成的組中的一種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，所述一個(gè)分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物為選自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、氨三乙酸和肌氨酸組成的組中的一種以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀薄膜蝕刻液組合物，所述有機(jī)鹽包含選自由乙酸銨、乙酸鈉和乙酸鉀組成的組中的一種以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銀薄膜蝕刻液組合物，所述無(wú)機(jī)鹽包含選自硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鎂、硫酸鈉、硫酸鉀以及硫酸鎂、磷酸二氫鈉、磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、磷酸氫二鈉、磷酸氫二鉀、磷酸氫二銨中的一種以上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，所述銀薄膜蝕刻液組合物能夠同時(shí)蝕刻由銀構(gòu)成的單層膜、或由所述單層膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的銀薄膜蝕刻液組合物，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜為選自由氧化銦錫ITO、氧化銦鋅IZO、氧化銦錫鋅ITZO和氧化銦鎵鋅IGZO組成的組中的一種以上。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的銀薄膜蝕刻液組合物，所述多層膜包含以透明導(dǎo)電膜/銀、或透明導(dǎo)電膜/銀/透明導(dǎo)電膜的方式形成的多層膜。

13.一種蝕刻方法，其包括：

在基板上形成由銀構(gòu)成的單層膜、或由所述單層膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜的步驟；

在所述單層膜或所述多層膜上選擇性留下光反應(yīng)物質(zhì)的步驟；以及

使用權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的銀薄膜蝕刻液組合物蝕刻所述單層膜或所述多層膜的步驟。

14.一種金屬圖案的形成方法，其包括：

在基板上形成由銀構(gòu)成的單層膜、或由所述單層膜和透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的多層膜的步驟；以及

使用權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的銀薄膜蝕刻液組合物蝕刻所述單層膜或所述多層膜的步驟。