[發明專利]一種三維存儲器的溝道制備方法

在審

• 申請號: 201911100076.0
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN110808251A
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 夏志良;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11521;H01L27/11568;H01L27/1157
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張雪嬌

1.一種三維存儲器的溝道孔的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面具有疊層結構；

對所述疊層結構進行分段刻蝕操作，以形成多個貫穿所述疊層結構且暴露出所述襯底的溝道孔；

對所述疊層結構的每段刻蝕操作刻蝕掉所述襯底表面的溝道形成區域上的部分疊層結構；

相鄰兩段刻蝕操作之間還包括：

形成覆蓋所述溝道孔兩側暴露出的疊層結構的側壁的保護層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述疊層結構的每段刻蝕操作包括：

刻蝕掉所述襯底表面的溝道形成區域上所述疊層結構總厚度N分之一厚度的疊層結構，N等于對所述疊層結構進行的分段刻蝕操作的總次數。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，N＝2；所述對所述疊層結構進行分段刻蝕操作包括：

對所述疊層結構進行第一次刻蝕操作，以形成貫穿所述疊層結構總厚度二分之一的第一凹槽；

在所述第一凹槽兩側的疊層結構的側壁表面形成所述保護層；

在所述第一凹槽中進行第二次刻蝕操作，以形成貫穿剩余所述疊層結構并暴露出所述襯底的第二凹槽；

在所述第二凹槽兩側的疊層結構的側壁表面形成所述保護層；

所述第一凹槽和第二凹槽構成所述三維存儲器的溝道孔。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽中進行第二次刻蝕操作，以形成貫穿剩余所述疊層結構并暴露出所述襯底的第二凹槽包括：

在所述第一凹槽中進行第二次刻蝕操作，以形成貫穿剩余所述疊層結構以及部分所述襯底的第二凹槽。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，N＝3；所述對所述疊層結構進行分段刻蝕操作包括：

對所述疊層結構進行第一次刻蝕操作，以形成貫穿所述疊層結構總厚度三分之一的第一凹槽；

在所述第一凹槽兩側的疊層結構的側壁表面形成所述保護層；

在所述第一凹槽中進行第二次刻蝕操作，以形成貫穿所述疊層結構剩余總厚度二分之一的第二凹槽；

在所述第二凹槽兩側的疊層結構的側壁表面形成所述保護層；

在所述第二凹槽中進行第三次刻蝕操作，以形成貫穿剩余所述疊層結構并暴露出所述襯底的第三凹槽；

在所述第三凹槽兩側的疊層結構的側壁表面形成所述保護層；

所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽構成所述三維存儲器的溝道孔。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽中進行第三次刻蝕操作，以形成貫穿剩余所述疊層結構并暴露出所述襯底的第三凹槽包括：

在所述第二凹槽中進行第三次刻蝕操作，以形成貫穿剩余所述疊層結構以及部分所述襯底的第三凹槽。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆蓋所述溝道兩側暴露出的疊層結構的側壁的保護層包括：

形成覆蓋所述溝道孔兩側暴露出的疊層結構的側壁的多晶硅層。