[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911099455.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111180559A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳孟揚(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，該半導(dǎo)體元件包括：

第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及

發(fā)光結(jié)構(gòu)，位于該第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及該第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間且包括多重量子阱結(jié)構(gòu)；

其中該多重量子阱結(jié)構(gòu)包含鋁且具有阱層及阻障層，該阱層及該阻障層組成一對(duì)半導(dǎo)體疊層，且該阻障層的厚度小于該阱層的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該阻障層與該阱層間晶格不匹配。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該多重量子阱結(jié)構(gòu)包含AlGaInAs。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該阻障層包含Al_x1Ga_y1In_1-x1-y1As，其中01-x1-y10.53。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該阱層包含Al_x2Ga_y2In_1-x2-y2As，其中11-x2-y20.53。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該阱層的厚度與該阻障層的厚度比值大于等于1.5。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該阻障層中鋁含量百分比大于該阱層中鋁含量百分比。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該阻障層中鋁含量百分比與該阱層中鋁含量百分比的比例大于等于2。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該多重量子阱結(jié)構(gòu)包含三對(duì)以上的該半導(dǎo)體疊層。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中于該半導(dǎo)體元件操作時(shí)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出輻射，該輻射具有峰值波長(zhǎng)介于800nm至3000nm之間。