[發明專利]半導體元件

在審

• 申請號: 201911099455.2
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN111180559A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 陳孟揚
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體元件。半導體元件包括第一半導體結構、第二半導體結構以及發光結構。發光結構位于第一半導體結構及第二半導體結構之間且包括多重量子阱結構。多重量子阱結構包含鋁且具有阱層及阻障層，阱層及阻障層組成一對半導體疊層。阻障層的厚度小于阱層的厚度。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件，特別是涉及一種包含發光結構的半導體光電元件。

背景技術

在信息傳輸及能量轉換領域中，半導體元件扮演著非常重要的角色，相關材料的研究開發也持續進行。舉例而言，包含三族及五族元素的三五族半導體材料可應用于各種光電元件，如發光二極管(Light emitting diode，LED)、激光二極管(Laser diode，LD)、太陽能電池(Solar cell)等，近年來此些光電元件也大量被應用于照明、顯示、通訊、感測、電源系統等領域。發光二極管適用于固態照明光源且具有耗電量低以及壽命長等優點，已逐漸取代傳統光源而大量被應用于交通號志、顯示器的背光模塊、各式照明及醫療裝置中。

發明內容

本發明提供一種半導體元件。半導體元件包括第一半導體結構、第二半導體結構以及發光結構。發光結構位于第一半導體結構及第二半導體結構之間且包括多重量子阱結構。多重量子阱結構包含鋁且具有阱層及阻障層，阱層及阻障層組成一對半導體疊層。阻障層的厚度小于阱層的厚度。

附圖說明

圖1A為本發明一實施例的半導體元件的上視圖；

圖1B為本發明一實施例的半導體元件的剖面結構示意圖及局部放大示意圖；

圖1C為本發明一實施例的半導體元件的剖面結構示意圖；

圖1D為本發明一實施例的半導體元件的剖面結構示意圖；

圖1E為本發明一實施例的半導體元件的剖面結構示意圖；

圖2為本發明一實驗例的半導體元件A～C的發光功率與電流關系圖；

圖3為本發明一實驗例的半導體元件D～F的發光功率與電流關系圖；

圖4為本發明一實驗例的半導體元件G～I的發光功率與電流關系圖；

圖5為本發明一實驗例的半導體元件J～L的發光功率與半導體疊層對數關系圖；

圖6為本發明一實施例的半導體封裝結構剖面示意圖。

符號說明

10、60：半導體元件

100：基板

110：第一半導體結構

112：第一限制層

114：第一披覆層

116：第二披覆層

118：第一窗戶層

120：第二半導體結構

122：第二限制層

124：第三披覆層

126：第四披覆層

128：第二窗戶層

130：發光結構

130a：第一活性結構

130b：第二活性結構

140：第一電極

150：第二電極

150a：主電極

150b：延伸電極