[發(fā)明專利]超結(jié)器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911098268.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN112864244A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾大杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通尚陽(yáng)通集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種超結(jié)器件，超結(jié)器件的中間區(qū)域?yàn)殡姾闪鲃?dòng)區(qū)，終端區(qū)環(huán)繞于所述電荷流動(dòng)區(qū)的外周，過(guò)渡區(qū)位于所述電荷流動(dòng)區(qū)和所述終端區(qū)之間；其特征在于：

電荷流動(dòng)區(qū)包括由多個(gè)交替排列的第一導(dǎo)電類型柱和第二導(dǎo)電類型柱組成的超結(jié)結(jié)構(gòu)；每一所述第一導(dǎo)電類型柱和其鄰近的所述第二導(dǎo)電類型柱組成一個(gè)超結(jié)單元；

在所述電荷流動(dòng)區(qū)中，超結(jié)器件至少包括第一原胞，所述第一原胞包括：

第二導(dǎo)電類型的第一溝道區(qū)，所述第一溝道區(qū)位于所述第一導(dǎo)電類型柱的頂部區(qū)域中且和鄰近對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)電類型柱具有間距；

第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一溝道區(qū)；

在所述第一溝道區(qū)的表面形成有第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的源區(qū)；

所述第一溝道區(qū)底部的所述第一導(dǎo)電類型柱作為漂移區(qū)的組成部分；

第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的漏區(qū)形成于所述漂移區(qū)的底部；

被所述第一柵極結(jié)構(gòu)所覆蓋的所述第一溝道區(qū)的表面用于形成連接所述源區(qū)和所述漂移區(qū)的溝道；

所述源區(qū)的頂部通過(guò)穿過(guò)層間膜的接觸孔連接到由正面金屬層組成的源極，所述源區(qū)頂部對(duì)應(yīng)的接觸孔還和所述第一溝道區(qū)連接；

和所述第一溝道區(qū)具有間距的所述第二導(dǎo)電類型柱的頂部未連接電極而在所述超結(jié)器件動(dòng)態(tài)工作時(shí)呈浮置結(jié)構(gòu)，在呈浮置結(jié)構(gòu)的所述第二導(dǎo)電類型柱和所述第一柵極結(jié)構(gòu)相耦合從而增加?xùn)怕╇娙荩?/p>

在俯視面上，通過(guò)調(diào)節(jié)所述第一原胞的面積來(lái)調(diào)節(jié)所述柵漏電容，所述第一原胞的面積越大，所述柵漏電容越大。

2.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述第一柵極結(jié)構(gòu)為第一溝槽柵，所述第一溝槽柵包括形成于柵極溝槽中柵介質(zhì)層和多晶硅柵；

所述第一溝槽柵的第一側(cè)面位于所述第一導(dǎo)電類型柱中并側(cè)面覆蓋所述第一溝道區(qū)；

所述第一溝槽柵的第二側(cè)面遠(yuǎn)離所述第一溝道區(qū)，所述第一溝槽柵的第二側(cè)面位于所述第一導(dǎo)電類型柱中并靠近所述第二導(dǎo)電類型柱或者所述第一溝槽柵的第二側(cè)面直接位于所述第二導(dǎo)電類型柱中。

3.如權(quán)利要求2所述的超結(jié)器件，其特征在于：一個(gè)所述第一導(dǎo)電類型柱的頂部形成有兩個(gè)所述第一溝槽柵，所述第一溝道區(qū)位于兩個(gè)所述第一溝槽柵之間并會(huì)形成兩個(gè)溝道。

4.如權(quán)利要求1所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述第一柵極結(jié)構(gòu)為第一平面柵，所述第一平面柵包括形成于依次形成于所述第一溝道區(qū)表面的柵介質(zhì)層和多晶硅柵；

所述第一平面柵的第一側(cè)面位于所述第一溝道區(qū)上，所述第一平面柵的第二側(cè)面位于所述第一溝道區(qū)和所述第二導(dǎo)電類型柱之間的所述第一導(dǎo)電類型柱上或者直接位于所述第二導(dǎo)電類型柱上。

5.如權(quán)利要求4所述的超結(jié)器件，其特征在于：一個(gè)所述第一導(dǎo)電類型柱的頂部形成有兩個(gè)所述第一平面柵，所述源區(qū)形成在兩個(gè)所述第一平面柵之間的所述第一溝道區(qū)表面，在所述源區(qū)兩側(cè)的所述第一溝道區(qū)的表面各形成一個(gè)溝道。

6.如權(quán)利要求3所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述第一溝道區(qū)由第二導(dǎo)電類型的第一阱區(qū)組成。

7.如權(quán)利要求6所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述第一阱區(qū)也延伸到所述第一溝槽柵的第二側(cè)面外的所述第一導(dǎo)電類型柱或所述第二導(dǎo)電類型柱中，且延伸到所述第一溝槽柵的第二側(cè)面外的所述第一阱區(qū)的表面未形成所述源區(qū)；

或者，所述第一阱區(qū)未延伸到所述第一溝槽柵的第二側(cè)面外的所述第一導(dǎo)電類型柱或所述第二導(dǎo)電類型柱中。

8.如權(quán)利要求5所述的超結(jié)器件，其特征在于：所述第一溝道區(qū)由第二導(dǎo)電類型的第一阱區(qū)組成。