[發(fā)明專利]一種有源矩陣顯示器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911097306.2
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN110993647B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘小和
• 申請（專利權(quán)）人: 潘小和
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請公開了一種有源矩陣顯示器件的制造方法，通過在襯底上設(shè)置有源矩陣顯示控制模塊和陽極電極陣列；在晶圓基底上外延生長半導(dǎo)體發(fā)光外延層；根據(jù)陽極電極陣列的尺寸以及間距對半導(dǎo)體發(fā)光外延層進(jìn)行刻蝕以形成半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列；將晶圓基底具有半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列的一面與有源矩陣顯示控制模塊具有陽極電極的一面對準(zhǔn)后進(jìn)行鍵合；剝離晶圓基底，將半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列保留在有源矩陣顯示控制模塊的陽極電極陣列上；填充半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列之間的溝隙；在半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列表面設(shè)置陰極電極層。通過具有至少三種基色的半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列先后依次進(jìn)行鍵合或通過在半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列設(shè)置光致激發(fā)薄膜像素陣列得到有源矩陣彩色顯示器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請實(shí)施例涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種有源矩陣顯示器件的制造方法。

背景技術(shù)

目前，基于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode)形成像素單元進(jìn)行顯示的原理制造而成的顯示器件受到越來越多的關(guān)注，其主要包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、小間距LED、迷你發(fā)光二極管(Mini LED)、微型發(fā)光二極管(Micro LED)和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)等。此類基于LED的顯示技術(shù)具有無需背光源且能自發(fā)光、功耗低、亮度高、壽命長、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，逐漸廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、穿戴裝置等中小尺寸顯示屏幕上。

現(xiàn)有的LED顯示器件是電流驅(qū)動型發(fā)光器件，其驅(qū)動方式主要為以下兩種：無源驅(qū)動和有源驅(qū)動，無源驅(qū)動方式可以降低列驅(qū)動信號頻率，增加顯示畫面的亮度和質(zhì)量。但仍然無法克服無源驅(qū)動方式的天生缺陷：連線龐雜，易串?dāng)_，像素選通信號無法保存等；有源驅(qū)動方式中每個LED像素單元有其對應(yīng)的獨(dú)立驅(qū)動電路，驅(qū)動電流由驅(qū)動晶體管提供，驅(qū)動能力更強(qiáng)可實(shí)現(xiàn)更大面積的驅(qū)動，有更好的亮度均勻性和對比度，可實(shí)現(xiàn)低功耗高效率，高獨(dú)立可控性及更高的分辨率，因此在大面積LED顯示應(yīng)用中主要采用有源驅(qū)動方式。

雖然基于LED的顯示器件在原理上大同小異，但是其在結(jié)構(gòu)、材料及特性等方面具有明顯不同，因此在顯示性能上也有所區(qū)別。例如OLED是采用有機(jī)發(fā)光材料作為激發(fā)層，而小間距LED、Mini LED和Micro LED等均采用無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料作為激發(fā)層。不同結(jié)構(gòu)、材料和制備工藝的顯示器件給產(chǎn)業(yè)帶來非常大的技術(shù)革新。隨著LED微縮化和矩陣化技術(shù)的發(fā)展，在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列成為可能，但是其主要問題存在于納米級LED的多次轉(zhuǎn)移、全彩化、良率及發(fā)光波長一致性等。其中最大的瓶頸在于巨量轉(zhuǎn)移，目前針對巨量轉(zhuǎn)移出現(xiàn)多種轉(zhuǎn)移方案，包括PickPlace轉(zhuǎn)移、流體組裝、雷射轉(zhuǎn)印以及滾輪轉(zhuǎn)印等，但是在工藝難度、轉(zhuǎn)移效率、良率等方面仍然存在比較大的問題。因此設(shè)計一種新的有源矩陣顯示器件的制造工藝來解決以上存在的問題是非常必要的。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中的以上問題，本申請?zhí)岢隽艘环N有源矩陣顯示器件的制造方法，包括以下步驟：

S1：在襯底上設(shè)置有源矩陣顯示控制模塊以及在襯底表面與有源矩陣顯示控制模塊連接的陽極電極陣列；

S2：在晶圓基底上外延生長半導(dǎo)體發(fā)光外延層；

S3：根據(jù)陽極電極陣列的尺寸以及間距對半導(dǎo)體發(fā)光外延層進(jìn)行刻蝕以形成半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列；

S4：將晶圓基底具有半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列的一面與有源矩陣顯示控制模塊具有陽極電極的一面對準(zhǔn)后進(jìn)行鍵合，使得半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列中的每個半導(dǎo)體發(fā)光器件與陽極電極一一對合連接；

S5：剝離晶圓基底，將半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列保留在有源矩陣顯示控制模塊的陽極電極陣列上；

S6：用不透光的介質(zhì)材料填充半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列之間的溝隙；

以及

S7：在半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列表面設(shè)置陰極電極層，得到有源矩陣顯示器件。