[發(fā)明專利]一種有源矩陣顯示器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911097306.2
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN110993647B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘小和
• 申請（專利權(quán)）人: 潘小和
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在襯底上設(shè)置有源矩陣顯示控制模塊以及在襯底表面與所述有源矩陣顯示控制模塊連接的陽極電極陣列；

S2：在晶圓基底上外延生長半導(dǎo)體發(fā)光外延層；

S3：根據(jù)所述陽極電極陣列的尺寸以及間距對(duì)所述半導(dǎo)體發(fā)光外延層進(jìn)行刻蝕以形成半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列；

S4：將所述晶圓基底具有所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列的一面與所述有源矩陣顯示控制模塊具有陽極電極的一面對(duì)準(zhǔn)后進(jìn)行鍵合，使得所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列中的每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件與所述陽極電極一一對(duì)合連接；

S5：通過激光掃描對(duì)所述晶圓基底進(jìn)行剝離，并同時(shí)利用所述激光掃描將所述半導(dǎo)體發(fā)光器件與所述陽極電極進(jìn)行鍵合連接，將所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列保留在所述有源矩陣顯示控制模塊的所述陽極電極陣列上；

S6：用不透光的介質(zhì)材料填充所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列之間的溝隙；

以及

S7：在所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列表面設(shè)置陰極電極層，得到有源矩陣顯示器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，在步驟S3中在所述半導(dǎo)體發(fā)光外延層上間隔至少兩個(gè)所述陽極電極位置進(jìn)行刻蝕得到一種基色的半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S5和S6之間還包括：重復(fù)以上步驟S2-S5，將用于不同基色的半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列依次先后鍵合在所述陽極電極陣列上制備出包括至少三種基色的半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，先后依次鍵合的兩個(gè)所述不同基色的半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列的陣列厚度相同或逐漸增大。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，所述至少三種基色包括紅色、綠色和藍(lán)色。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列發(fā)出的單色光為短波長的光，在所述S7之后還包括：

S8：在所述陰極電極層上分別沉積至少兩種基色的光致激發(fā)薄膜層，并刻蝕形成光致激發(fā)薄膜像素陣列。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，所述光致激發(fā)薄膜層包括量子點(diǎn)層或熒光粉薄膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，所述襯底包括以下其中之一的柔性薄膜材料：塑料聚合物薄膜、不銹鋼薄膜、單晶硅薄膜及多晶硅薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S4的鍵合方式包括等離子輔助直接鍵合、擴(kuò)散鍵合、共晶鍵合或瞬態(tài)液相鍵合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，在步驟S2后在所述半導(dǎo)體發(fā)光外延層上沉積一層導(dǎo)電鍵合材料，導(dǎo)電鍵合材料包括金、銀、鋁、或者Au-Sn、NiO-Au-Ag、ITO-Al-Au、Cu-Sn-Ag、Ag-Au、Ni-Au-Si或Pd-Au合金薄膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S5中，采用激光掃描或化學(xué)濕法刻蝕的方式對(duì)所述晶圓基底進(jìn)行剝離。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，采用激光掃描在所述半導(dǎo)體發(fā)光器件和所述陽極電極的鍵合位置進(jìn)行局部加熱和加壓。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的有源矩陣顯示器件的制造方法，其特征在于，在步驟S6和S7之間還包括：將所述半導(dǎo)體發(fā)光器件陣列和介質(zhì)材料朝向陰極電極層的一面進(jìn)行平坦化處理，使得半導(dǎo)體發(fā)光器件的表面裸露出來。