[發明專利]一種電路基板的制作方法

有效

• 申請號: 201911095999.1
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN111029259B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 熊康林;陸曉鳴;孫駿逸;黃永丹;馮家貴;武彪
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/492;H05K3/06
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本發明公開了一種電路基板的制作方法，該方法包括：在襯底上依序形成掩膜層和用于形成目標層的材料層，其中，掩膜層位于材料層側邊且與材料層之間具有間隔；在襯底上形成覆蓋材料層的機械剝離層；去除掩膜層，并將機械剝離層機械剝離去除，從而形成目標層。本發明解決了通過常規工藝制作的電路基板的目標材料容易受到污染和損傷的問題。

技術領域

本發明涉及電路技術領域，尤其涉及一種電路基板的制作方法。

背景技術

如圖1a至圖1d所示，目前制作電路基板的一般過程為：在襯底a上形成犧牲層b；刻蝕犧牲層b，從而形成掩模板b'；在襯底a上沉積等方式形成目標材料c(用于構成電路基板的電線)；去除掩模板b'。但是在去除掩模板b'的過程中，目標材料c層會受到用于去除掩模板b'的刻蝕劑的影響。因此，通過上述的常規工藝制作的電路基板的目標材料c會有一定程度的污染和損傷。

發明內容

為了達到上述的目的，本發明采用了如下的技術方案：

一種電路基板的制作方法，包括：

在襯底上依序形成掩膜層和用于形成目標層的材料層，其中，所述掩膜層位于所述材料層側邊且與所述材料層之間具有間隔；

在襯底上形成覆蓋所述材料層的機械剝離層；

去除所述掩膜層，并將所述機械剝離層機械剝離去除，從而形成所述目標層。

優選地，在所述襯底上形成掩膜層的方法包括：

在所述襯底的第一表面上依次層疊形成第一犧牲層和第二犧牲層；

在所述第二犧牲層上形成第一圖形，使所述第一犧牲層經所述第一圖形暴露于外；

在所述第一犧牲層上形成第二圖形，以形成所述掩膜層，其中，所述襯底經所述第二圖形和所述第一圖形暴露于外，所述第二圖形的縫隙寬度大于所述第一圖形的縫隙寬度。

優選地，在所述襯底上形成所述材料層的方法包括：

經所述第一圖形和所述第二圖形，在所述襯底上形成材料層，其中，所述材料層的厚度小于所述第一犧牲層的厚度，所述材料層的寬度小于所述第二圖形的縫隙寬度。

優選地，在所述襯底上形成覆蓋所述材料層的所述機械剝離層的方法包括：

在所述第一圖形和所述第二圖形的縫隙里填充膠水材料，并對所述膠水材料進行固化處理，以形成覆蓋所述材料層的機械剝離層。

優選地，去除所述掩膜層的方法為濕法刻蝕或干法刻蝕，其中，用于所述濕法刻蝕或所述干法刻蝕的刻蝕劑僅與所述第一犧牲層和所述第二犧牲層反應。

優選地，形成所述材料層的工藝溫度小于所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的熔點。

優選地，形成所述材料層的工藝為電子束蒸發工藝、熱蒸鍍工藝或分子束外延工藝中的一種。

優選地，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層為無機材料。

優選地，所述第一犧牲層的材料為SiO₂，所述第二犧牲層的材料為a-Si。

優選地，所述膠水材料為光刻膠或光學膠。

與現有技術相比，本發明在形成目標層的材料層與掩膜層之間設置了間隔，在該間隔空間里填充用于形成機械剝離層的材料形成了一種保護層，從而使目標層在去除掩模板的過程中得到了保護作用，避免了目標層受到污染或損傷的情況。

附圖說明

圖1a至1d為現有的電路基板的制作方法的流程圖；

圖2a至2g為本發明實施例的電路基板的制作方法的流程圖。

具體實施方式