[發明專利]一種電路基板的制作方法

有效

• 申請號: 201911095999.1
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN111029259B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 熊康林;陸曉鳴;孫駿逸;黃永丹;馮家貴;武彪
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/492;H05K3/06
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種電路基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底(1)上依序形成掩膜層和用于形成目標層的材料層(4)，其中，所述掩膜層位于所述材料層(4)側邊且與所述材料層(4)之間具有間隔；

在襯底(1)上形成覆蓋所述材料層(4)的機械剝離層(5)；

去除所述掩膜層，并將所述機械剝離層(5)機械剝離去除，從而形成所述目標層；

其中，在所述襯底(1)上形成掩膜層的方法包括：

在所述襯底(1)的第一表面上依次層疊形成第一犧牲層(2)和第二犧牲層(3)；

在所述第二犧牲層(3)上形成第一圖形(3')，使所述第一犧牲層(2)經所述第一圖形(3')暴露于外；

在所述第一犧牲層(2)上形成第二圖形(2')，以形成所述掩膜層，其中，所述襯底(1)經所述第二圖形(2')和所述第一圖形(3')暴露于外，所述第二圖形(2')的縫隙寬度大于所述第一圖形(3')的縫隙寬度；

其中，在所述襯底(1)上形成所述材料層(4)的方法包括：

經所述第一圖形(3')和所述第二圖形(2')，在所述襯底(1)上形成材料層(4)，其中，所述材料層(4)的厚度小于所述第一犧牲層(2)的厚度，所述材料層(4)的寬度小于所述第二圖形(2')的縫隙寬度。

2.根據權利要求1所述的電路基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底(1)上形成覆蓋所述材料層(4)的所述機械剝離層(5)的方法包括：

在所述第一圖形(3')和所述第二圖形(2')的縫隙里填充膠水材料，并對所述膠水材料進行固化處理，以形成覆蓋所述材料層(4)的機械剝離層(5)。

3.根據權利要求1或2所述的電路基板的制作方法，其特征在于，去除所述掩膜層的方法為濕法刻蝕或干法刻蝕，其中，用于所述濕法刻蝕或所述干法刻蝕的刻蝕劑僅與所述第一犧牲層(2)和所述第二犧牲層(3)反應。

4.根據權利要求3所述的電路基板的制作方法，其特征在于，形成所述材料層(4)的工藝溫度小于所述第一犧牲層(2)和所述第二犧牲層(3)的熔點。

5.根據權利要求4所述的電路基板的制作方法，其特征在于，形成所述材料層(4)的工藝為電子束蒸發工藝、熱蒸鍍工藝或分子束外延工藝中的一種。

6.根據權利要求3所述的電路基板的制作方法，其特征在于，所述第一犧牲層(2)和所述第二犧牲層(3)為無機材料。

7.根據權利要求6所述的電路基板的制作方法，其特征在于，所述第一犧牲層(2)的材料為SiO₂，所述第二犧牲層(3)的材料為a-Si。

8.根據權利要求2所述的電路基板的制作方法，其特征在于，所述膠水材料為光刻膠或光學膠。