[發明專利]半導體裝置與存儲器單元在審
| 申請號： | 201911095958.2 | 申請日： | 2019-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112670406A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 鄭懷瑜;郭奕廷;龍翔瀾 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 存儲器 單元 | ||
1.一種半導體裝置，包含：
一第一電極；
一第二電極；
一銦摻雜硫基選擇層設置于該第一電極與該第二電極之間，其中該銦摻雜硫基選擇層的銦含量為約2at.％至約10at.％。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該銦摻雜硫基選擇層為銦摻雜的砷鍺硒層。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中該銦摻雜硫基選擇層的砷含量為約25at.％至約38at.％，鍺含量為約8at.％至約20at.％，硒含量為約30at.％至約60at.％。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該銦摻雜硫基選擇層的厚度為約15納米至約45納米。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，更包含一刻蝕終止層，設置于該第一電極與該銦摻雜硫基選擇層之間。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中該刻蝕終止層包含碳或是硅摻雜碳。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，更包含一刻蝕終止層，設置于該第二電極與該銦摻雜硫基選擇層之間。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中該刻蝕終止層包含碳或是硅摻雜碳。
9.一種存儲器單元，包含：
一存取裝置，包含一第一電極、一第二電極，以及設置于該第一電極與該第二電極之間的一銦摻雜硫基選擇層，其中該銦摻雜硫基選擇層的銦含量為約2at.％至約10at.％；以及
一相變材料，設置于該存取裝置上。
10.根據權利要求9所述的存儲器單元，其中該相變材料電性連接該第二電極。
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